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KMB8D0P30QA

更新时间： 2024-11-12 11:30:47

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描述
P-Ch Trench MOSFET

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KMB8D0P30QA 技术参数

生命周期：	Not Recommended	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.74	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏源导通电阻：	0.02 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	40 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

KMB8D0P30QA 数据手册

SEMICONDUCTOR

KMB8D0P30QA

TECHNICAL DATA

P-Ch Trench MOSFET

GENERAL DESCRIPTION

This Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low

on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristiscs. It is mainly

suitable for Load Switch and Battery pack.

FEATURES

V_DSS=-30V, I_D=-8A.

DIM MILLIMETERS

4.85 0.2

Drain to Source On Resistance.

R_DS(ON)=20m (Max.) @ V_GS=-10V

R_DS(ON)=35m (Max.) @ V_GS=-4.5V

3.94 + 0.2

6.02 0.3

0.4 + 0.1

0.15+0.1/-0.05

B1 B2

1.63+ 0.2

0.65 0.2

1.27

MOSFET Maximum Ratings (Ta=25 Unless otherwise noted)

0.20+0.1/-0.05

CHARACTERISTIC

Drain to Source Voltage

SYMBOL RATING UNIT

V_DSS

V_GSS

I_D

Gate to Source Voltage

-8

-40

FLP-8

DC@Ta=25

Pulsed

(Note 1)

Drain Current

I_DP

P_D

Drain Power Dissipation

2.5

@Ta=25

T_j

Maximum Junction Temperature

Storage Temperature Range

150

T_stg

R_thJA

-55~150

Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)

KMB8D0P

30QA

Note1) Surface Mounted on 1″ 1″FR4 Board, t 10sec.

PIN CONNECTION (TOP VIEW)

2009. 6. 15

Revision No : 0

1/4

12 3 4

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