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KMB8D0P30Q

更新时间: 2024-09-25 11:30:47
品牌 Logo 应用领域
KEC 晶体晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
1页 369K
描述
FLP-8 PACKAGE

KMB8D0P30Q 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数:8Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.74Is Samacsys:N
其他特性:ULTRA-LOW RESISTANCE配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V最大漏源导通电阻:0.02 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PDSO-G8
元件数量:1端子数量:8
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):40 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

KMB8D0P30Q 数据手册

  
SEMICONDUCTOR  
MARKING SPECIFICATION  
KMB8D0P30Q  
FLP-8 PACKAGE  
1. Marking method  
Laser Marking.  
2. Marking  
1
3
KMB8D0  
Q
0
3
P
2
601  
No.  
Item  
Marking  
Description  
KMB8D0P30Q  
Pin 1  
Device Name  
Pin No.  
KMB8D0P30Q  
Dot  
6
Year  
0~9 : 2000~2009  
01 : 1st Week  
Lot No.  
601  
01  
Week  
2006. 6. 12  
Revision No : 0  
1/1  

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