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KMB7D1DP30QA

更新时间： 2024-09-25 03:20:55

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描述
Dual P-Ch Trench MOSFET

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KMB7D1DP30QA 技术参数

生命周期：	Not Recommended	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.75	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	7.1 A
最大漏源导通电阻：	0.025 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	40 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

KMB7D1DP30QA 数据手册

SEMICONDUCTOR

KMB7D1DP30QA

Dual P-Ch Trench MOSFET

TECHNICAL DATA

General Description

This Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching

time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche

characteristics. It is mainly suitable for portable equipment and SMPS.

FEATURES

V_DSS=-30V, I_D=-7.1A

DIM MILLIMETERS

Drain-Source ON Resistance

R_DS(ON)=25m (Max.) @ V_GS=-10V

R_DS(ON)=41m (Max.) @ V_GS=-4.5V

Super Hige Dense Cell Design

4.85 0.2

3.94 0.2

6.02 0.3

0.4 0.1

0.15+0.1/-0.05

B1 B2

1.63

0.2

0.65 0.2

1.27

0.20+0.1/-0.05

MAXIMUM RATING (Ta=25

CHARACTERISTIC

)

SYMBOL

V_DSS

N-Ch

-30

UNIT

FLP-8

Drain-Source Voltage

V_GSS

Gate-Source Voltage

-7.1

-5.7

-40

DC@T_A=25

DC@T_A=70

Pulsed

I_D

Drain Current

I_DP

I_S

Drain-Source-Diode Forward Current

-1.7

1.1

KMB7D1DP

30QA

T_A=25

Drain Power Dissipation

T_A=70

P_D

0.7

705

T_j

Maximum Junction Temperature

150

T_stg

Storage Temperature Range

-55 150

110

R_thJA

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Note : Surface Mounted on FR4 Board, t 10sec.

PIN CONNECTION (TOP VIEW)

2007. 4. 17

Revision No : 0

1/5

12 3 4 5

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