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KMB6D0DN30QA

更新时间： 2024-01-19 13:10:30

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KEC		晶体晶体管开关脉冲光电二极管
页数	文件大小	规格书
5页	467K
描述
Dual N-Ch Trench MOSFET

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KMB6D0DN30QA 技术参数

生命周期：	Not Recommended	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.7	Is Samacsys：	N
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏源导通电阻：	0.028 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	30 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

KMB6D0DN30QA 数据手册

SEMICONDUCTOR

KMB6D0DN30QA

Dual N-Ch Trench MOSFET

TECHNICAL DATA

GENERAL DESCRIPTION

This planer stripe MOSFET has better characteristics, such as fast

switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche

characteristics. It is mainly suitable for portable equipment and SMPS.

FEATURES

V_DSS=30V, I_D=6A.

DIM MILLIMETERS

4.85 0.2

Drain-Source ON Resistance.

R_DS(ON)=28m (Max.) @V_GS=10V

R_DS(ON)=42m (Max.) @V_GS=4.5V

Super High Dense Cell Design

High Power and Current Handing Capability

3.94 0.2

6.02 0.3

0.4 0.1

0.15+0.1/-0.05

B1 B2

1.63

0.2

0.65 0.2

1.27

0.20+0.1/-0.05

MAXIMUM RATING (Ta=25 Unless otherwise noted)

FLP-8

CHARACTERISTIC

Drain Source Voltage

SYMBOL

V_DSS

V_GSS

I_D*

PATING UNIT

Gate Source Voltage

Drain Current

Pulsed ^(note1)

I_DP

I_S

Drain Source Diode Forward Current

1.3

P_D*

Drain Power Dissipation

1.6

100

T_j

Maximum Junction Temperature

-50~150

T_stg

Storage Temperature Range

R_thJA

Thermal Resistance, Junction to Ambient

* : Surface Mounted on FR4 Board, t 10sec.

PIN CONNECTION (TOP VIEW)

2007. 4. 3

Revision No : 0

1/5

12 3 4 5

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