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KMB7D0DN40QA

更新时间： 2024-11-12 03:20:55

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KEC		晶体晶体管开关脉冲光电二极管
页数	文件大小	规格书
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描述
Dual N-Ch Trench MOSFET

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KMB7D0DN40QA 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.75	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	40 V	最大漏源导通电阻：	0.025 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	36 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

KMB7D0DN40QA 数据手册

SEMICONDUCTOR

KMB7D0DN40QA

Dual N-Ch Trench MOSFET

TECHNICAL DATA

GENERAL DESCRIPTION

This planer stripe MOSFET has better characteristics, such as fast

switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche

characteristics. It is mainly suitable for portable equipment and SMPS.

FEATURES

V_DSS=40V, I_D=7A.

DIM MILLIMETERS

4.85 0.2

Drain-Source ON Resistance.

R_DS(ON)=25m (Max.) @V_GS=10V

R_DS(ON)=45m (Max.) @V_GS=4.5V

Super High Dense Cell Design

High Power and Current Handing Capability

3.94

0.2

6.02 0.3

0.4

0.1

0.15+0.1/-0.05

B1 B2

1.63

0.2

0.65 0.2

1.27

0.20+0.1/-0.05

Maximum Ratings (Ta=25 Unless otherwise noted)

FLP-8

CHARACTERISTIC

Drain Source Voltage

SYMBOL PATING UNIT

V_DSS

V_GSS

I_D*

I_DP

Gate Source Voltage

Drain Current

Pulsed ^(note1)

I_S

Drain Source Diode Forward Current

1.7

P_D*

Drain Power Dissipation

1.44

-55~150

62.5

100

Maximum Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

T_stg

R_thJA

Thermal Resistance, Junction to Ambient

D1 D1

PIN CONNECTION (TOP VIEW)

N-Channel MOSFET

D2 D2

P-Channel MOSFET

2007. 4. 3

Revision No : 0

1/4

12 3 4

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