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KMB6D0NP40QA

更新时间： 2024-09-25 11:30:47

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描述
N and P-Ch Trench MOSFET

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KMB6D0NP40QA 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.82
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	40 V
最大漏极电流 (ID)：	6 A	最大漏源导通电阻：	0.031 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

KMB6D0NP40QA 数据手册

SEMICONDUCTOR

KMB6D0NP40QA

N and P-Ch Trench MOSFET

TECHNICAL DATA

General Description

This Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching

time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche

characteristics. It is mainly suitable for Back-light Inverter.

FEATURES

N-Channel

: V_DSS=40V, I_D=6A.

DIM MILLIMETERS

: R_DS(ON)=31m (Max.) @ V_GS=10V

: R_DS(ON)=45m (Max.) @ V_GS=4.5V

P-Channel

4.85 0.2

3.94 0.2

6.02 0.3

0.4 0.1

B1 B2

0.15+0.1/-0.05

: V_DSS=-40V, I_D=-5A.

1.63+0.2

: R_DS(ON)=45m (Max.) @ V_GS=-10V

: R_DS(ON)=63m (Max.) @ V_GS=-4.5V

Super High Dense Cell Design.

0.65 0.2

1.27

0.20+0.1/-0.05

FLP-8

MAXIMUM RATING (Ta=25

CHARACTERISTIC

)

SYMBOL N-Ch

P-Ch

-40

UNIT

V_DSS

V_GSS

I_D*

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

-5

Marking

Drain Current

Type Name

I_DP

Pulsed

3.0

-20

-3.2

I_S*

Source-Drain Diode Current

KMB6D0NP

40QA

T_A=25

Drain Power Dissipation

T_A=70

P_D*

1.3

Lot No.

T_j

Maximum Junction Temperature

Storage Temperature Range

150

T_stg

-55 150

62.5

R_thJA

Thermal Resistance, Junction to Ambient

* : Surface Mounted on FR4 Board.

PIN CONNECTION (TOP VIEW)

2008. 8. 12

Revision No : 0

1/8

12 3 4 5 6 7 8

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