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KMB4D5DN60QA

更新时间： 2024-02-13 10:43:27

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Dual N-Ch Trench MOSFET

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KMB4D5DN60QA 技术参数

生命周期：	Not Recommended	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.72
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏源导通电阻：	0.056 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

KMB4D5DN60QA 数据手册

SEMICONDUCTOR

KMB4D5DN60QA

Dual N-Ch Trench MOSFET

TECHNICAL DATA

GENERAL DESCRIPTION

This Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low

on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristiscs. It is mainly

suitable for load switch and Back light inverter.

FEATURES

V_DSS=60V, I_D=4.5A.

DIM MILLIMETERS

4.85 0.2

Drain-Source ON Resistance.

R_DS(ON)=56m (Max.) @ V_GS=10V

R_DS(ON)=77m (Max.) @ V_GS=4.5V

3.94 0.2

6.02 0.3

0.4 0.1

0.15+0.1/-0.05

B1 B2

1.63

0.2

0.65 0.2

1.27

MOSFET Maximum Ratings (Ta=25 Unless otherwise noted)

0.20+0.1/-0.05

CHARACTERISTIC

Drain Source Voltage

SYMBOL PATING UNIT

V_DSS

V_GSS

I_D*

I_DP

Gate Source Voltage

4.5

DC@Ta=25

Pulsed

FLP-8

Drain Current

I_S

Drain Source Diode Forward Current

Drain Power Dissipation

P_D*

T_j

@Ta=25

Maximum Junction Temperature

Storage Temperature Range

150

-55~150

62.5

T_stg

KMB4D5DN

60QA

R_thJA

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Note> *Surface Mounted on 1” 1” FR4 Board, t 10sec.

PIN CONNECTION (TOP VIEW)

S₁

G₁

S₂

G₂

D₁

D₂

2008. 5. 27

Revision No : 0

1/4

12 3 4

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