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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP32,.6 | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.71 | 风险等级： | 5.92 |
| 最长访问时间： | 150 ns | JESD-30 代码： | R-PDIP-T32 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 41.91 mm |
| 内存密度： | 4194304 bit | 内存集成电路类型： | MASK ROM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 524288 words |
| 字数代码： | 512000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 512KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP32,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 3/3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 最大待机电流： | 0.00005 A | 子类别： | MASK ROMs |
| 最大压摆率： | 0.03 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 15.24 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| KM23V4000BG-15 | SAMSUNG | MASK ROM, 512KX8, 150ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32 |
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| KM23V4000DETG | SAMSUNG | MASK ROM, 512KX8, 95ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, TSOP1-32 |
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| KM23V4000DETY | SAMSUNG | MASK ROM, 512KX8, 120ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32 |
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| KM23V4000DETY-12 | SAMSUNG | MASK ROM, 512KX8, 120ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32 |
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| KM23V4000DTG | SAMSUNG | MASK ROM, 512KX8, 95ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, TSOP1-32 |
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| KM23V4000DTY | SAMSUNG | MASK ROM, 512KX8, 120ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32 |
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