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KM23V4100D-10 PDF预览

KM23V4100D-10

更新时间： 2024-01-18 10:48:55
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 有原始数据的样本ROM光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
5页 101K
描述
MASK ROM, 256KX16, 100ns, CMOS, PDIP40, 0.600 INCH, DIP-40

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KM23V4100D-10 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIP包装说明：DIP, DIP40,.6
针数：40Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.71
风险等级：5.92Is Samacsys：N
最长访问时间：100 ns其他特性：CONFIGURABLE AS 256K X 16
备用内存宽度：8JESD-30 代码：R-PDIP-T40
JESD-609代码：e0长度：52.42 mm
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：MASK ROM
内存宽度：16功能数量：1
端子数量：40字数：262144 words
字数代码：256000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：256KX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：DIP封装等效代码：DIP40,.6
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：5.08 mm最大待机电流：0.00003 A
子类别：MASK ROMs最大压摆率：0.025 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：15.24 mm
Base Number Matches：1

KM23V4100D-10 数据手册

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KM23V4100D(G)  
CMOS MASK ROM  
4M-Bit (512Kx8 /256Kx16) CMOS MASK ROM  
GENERAL DESCRIPTION  
FEATURES  
· Switchable orginization  
524,288 x 8(byte mode)  
262,144 x 16(word mode)  
· Fast access time  
3.3V Operation : 100ns(Max.)  
3.0V Operation : 120ns(Max.)  
· Supply voltage : single +3.0V/ single +3.3V  
· Current consumption  
The KM23V4100D(G) is a fully static mask programmable ROM  
fabricated using silicon gate CMOS process technology, and is  
organized either as 524,288 x 8bit(byte mode) or as 262,144 x  
16bit(word mode) depending on BHE voltage level.(See mode  
selection table)  
This device operates with 3.0V or 3.3V power supply, and all  
inputs and outputs are TTL compatible.  
Because of its asynchronous operation, it requires no external  
clock assuring extremely easy operation.  
Operating : 25mA(Max.)  
Standby : 30mA(Max.)  
It is suitable for use in program memory of microprocessor, and  
data memory, character generator.  
· Fully static operation  
· All inputs and outputs TTL compatible  
· Three state outputs  
· Package  
-. KM23V4100D : 40-DIP-600  
-. KM23V4100DG : 40-SOP-525  
The KM23V4100D is packaged in  
KM23V4100DG is a 40-SOP.  
a
40-DIP and the  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
PIN CONFIGURATION  
A17  
X
MEMORY CELL  
MATRIX  
BUFFERS  
AND  
.
.
.
.
.
.
.
.
(262,144x16/  
524,288x8)  
A8  
A9  
A17  
1
40  
39  
38  
DECODER  
A7  
2
A6  
3
A10  
A5  
A4  
4
5
A11  
A12  
A13  
37  
36  
35  
34  
Y
SENSE AMP.  
BUFFERS  
AND  
A3  
6
DATA OUT  
BUFFERS  
A2  
7
A14  
DECODER  
A0  
A1  
8
33 A15  
A0  
A16  
32  
9
A-1  
CE  
VSS  
BHE  
VSS  
10  
11  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
DIP  
&
SOP  
. . .  
Q15/A-1  
Q7  
OE 12  
CE  
Q0  
Q8  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
Q0/Q8  
Q7/Q15  
CONTROL  
LOGIC  
Q14  
OE  
Q1  
Q6  
BHE  
Q9  
25 Q13  
24 Q5  
Q2  
Q10  
Q12  
Q4  
23  
22  
21  
Pin Name  
A0 - A17  
Pin Function  
Q3 19  
Q11  
Address Inputs  
Data Outputs  
20  
VCC  
Q0 - Q14  
Output 15(Word mode)/  
LSB Address(Byte mode)  
Q15 /A-1  
KM23V4100D(G)  
BHE  
CE  
Word/Byte selection  
Chip Enable  
Output Enable  
Power  
OE  
VCC  
VSS  
Ground  
12345

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与KM23V4100D-10相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KM23V4100D-12 SAMSUNG

获取价格

 		MASK ROM, 256KX16, 120ns, CMOS, PDIP40, 0.600 INCH, DIP-40
KM23V4100DG SAMSUNG

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 		MASK ROM, 512KX8, 120ns, CMOS, PDSO40, 0.525 INCH, SOP-40
KM23V4100DG-10 SAMSUNG

获取价格

 		MASK ROM, 256KX16, 100ns, CMOS, PDSO40, 0.525 INCH, SOP-40
KM23V4200D SAMSUNG

获取价格

 		MASK ROM, 256KX16, 120ns, CMOS, PDIP40
KM23V4200D-10 SAMSUNG

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 		MASK ROM, 256KX16, 100ns, CMOS, PDIP40, 0.600 INCH, DIP-40
KM23V4200D-12 SAMSUNG

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 		MASK ROM, 256KX16, 120ns, CMOS, PDIP40, 0.600 INCH, DIP-40
KM23V4200D-15 SAMSUNG

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 		MASK ROM, 256KX16, 150ns, CMOS, PDIP40, 0.600 INCH, DIP-40
KM23V64000AG-10 SAMSUNG

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 		MASK ROM, 4MX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44
KM23V64000ATY SAMSUNG

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 		MASK ROM, 8MX8, 120ns, CMOS, PDSO48, 12 X 18 MM, TSOP1-48
KM23V64000ATY-10 SAMSUNG

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