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KM23V32005BG PDF预览

KM23V32005BG

更新时间： 2024-11-24 21:54:51
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 存储内存集成电路光电二极管有原始数据的样本ROM
页数 文件大小 规格书
5页 90K
描述
32M-Bit (4Mx8/2Mx16) COMS MASK ROM

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KM23V32005BG 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：SOP,针数：44
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.71风险等级：5.84
Is Samacsys：N最长访问时间：100 ns
其他特性：USER CONFIGURABLE AS 2M X 16JESD-30 代码：R-PDSO-G44
长度：28.5 mm内存密度：33554432 bit
内存集成电路类型：MASK ROM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：44
字数：4194304 words字数代码：4000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：4MX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：PARALLEL认证状态：Not Qualified
座面最大高度：3.1 mm最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
宽度：12.6 mmBase Number Matches：1

KM23V32005BG 数据手册

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KM23V32005BG  
CMOS MASK ROM  
32M-Bit (4Mx8 /2Mx16) CMOS MASK ROM  
FEATURES  
GENERAL DESCRIPTION  
· Switchable organization  
4,194,304x8(byte mode)  
2,097,152x16(word mode)  
· Fast access time  
The KM23V32005BG is a fully static mask programmable ROM  
fabricated using silicon gate CMOS process technology, and is  
organized either as 4,194,304x8 bit(byte mode) or as  
2,097,152x16 bit(word mode) depending on BHE voltage  
level.(See mode selection table)  
Random Access Time : 100ns(Max.)  
Page Access Time  
: 30ns(Max.)  
This device includes page read mode function, page read mode  
allows 8 words(or 16 bytes) of data to read fast in the same  
page, CE and A3 ~ A20 should not be changed.  
· 8 words / 16 bytes page access  
· Supply voltage : single +3.3V  
· Current consumption  
This device operates with a 3.3V power supply, and all inputs  
and outputs are TTL compatible.  
Operating : 60mA(Max.)  
Standby : 30mA(Max.)  
· Fully static operation  
· All inputs and outputs TTL compatible  
· Three state outputs  
Because of its asynchronous operation, it requires no external  
clock assuring extremely easy operation.  
It is suitable for use in program memory of microprocessor, and  
data memory, character generator.  
The KM23V32005BG is packaged in a 44-SOP.  
· Package  
KM23V32005BG : 44-SOP-600  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
PIN CONFIGURATION  
A20  
X
MEMORY CELL  
MATRIX  
(2,097,152x16/  
4,194,304x8)  
N.C  
A18  
A20  
A19  
A8  
1
2
44  
43  
42  
41  
40  
39  
BUFFERS  
AND  
DECODER  
.
.
.
.
.
.
.
.
A17  
A7  
3
4
A9  
A6  
A5  
A4  
A3  
A2  
A1  
A0  
A10  
A11  
5
6
Y
SENSE AMP.  
38 A12  
37 A13  
7
BUFFERS  
AND  
DECODER  
8
DATA OUT  
BUFFERS  
A14  
36  
9
A3  
A15  
35  
10  
11  
A0~A2  
A-1  
A16  
34  
33  
32  
31  
30  
BHE  
VSS  
CE 12  
.
.
.
SOP  
VSS  
13  
OE 14  
Q15/A-1  
Q7  
CE  
Q0  
Q8  
15  
16  
17  
18  
Q0/Q8  
Q7/Q15  
CONTROL  
LOGIC  
29 Q14  
OE  
Q1  
Q9  
Q6  
Q13  
Q5  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
BHE  
Q2 19  
Q10 20  
Q12  
Q4  
Pin Name  
A0 - A2  
Pin Function  
Page Address Inputs  
Q3  
21  
22  
Q11  
VCC  
A3 - A20  
Q0 - Q14  
Address Inputs  
Data Outputs  
KM23V32005BG  
Output 15(Word mode)/  
LSB Address(Byte mode)  
Q15 /A-1  
BHE  
CE  
Word/Byte selection  
Chip Enable  
OE  
Output Enable  
Power (3.3V)  
Ground  
VCC  
VSS  
N.C  
No Connection  
12345

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与KM23V32005BG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KM23V32005BG-10 SAMSUNG

获取价格

 		MASK ROM, 2MX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44
KM23V32005BG-12 SAMSUNG

获取价格

 		MASK ROM, 2MX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44
KM23V32005BG-15 SAMSUNG

获取价格

 		MASK ROM, 2MX16, 150ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44
KM23V32005BT-10 SAMSUNG

获取价格

 		MASK ROM, 2MX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
KM23V32005BT-12 SAMSUNG

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 		MASK ROM, 2MX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
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 		MASK ROM, 2MX16, 150ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
KM23V32005BTY SAMSUNG

获取价格

 		MASK ROM, 4MX8, 100ns, CMOS, PDSO48, 12 X 18 MM, TSOP1-48
KM23V32005BTY-10 SAMSUNG

获取价格

 		MASK ROM, 4MX8, 100ns, CMOS, PDSO48, 12 X 18 MM, TSOP1-48
KM23V32005DETY-10 SAMSUNG

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 		MASK ROM, 2MX16, 100ns, CMOS, PDSO48, 12 X 18 MM, TSOP1-48
KM23V32005DTY-10 SAMSUNG

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