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KF5N50D

更新时间： 2024-11-23 05:40:51

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描述
N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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KF5N50D 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.68
雪崩能效等级（Eas）：	270 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (ID)：	4.3 A
最大漏源导通电阻：	1.4 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	13 A	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

KF5N50D 数据手册

KF5N50D/DZ

SEMICONDUCTOR

N CHANNEL MOS FIELD

EFFECT TRANSISTOR

TECHNICAL DATA

General Description

This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast

switching time, low on resistance, low gate charge and excellent

avalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast and

switching mode power supplies.

DIM MILLIMETERS

6.60 + 0.20

6.10+0.20

5.34 + 0.30

0.70+0.20

2.70 + 0.15

FEATURES

2.30+0.10

0.96 MAX

0.90 MAX

· V_DSS= 500V, I_D= 4.3A

1.80+0.20

· Drain-Source ON Resistance : R_DS(ON)=1.4Ω (Max) @V_GS= 10V

· Qg(typ) = 12nC

2.30+0.10

0.50 + 0.10

0.50+0.10

0.70 MIN

℃

)

MAXIMUM RATING (Tc=25

CHARACTERISTIC

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

@T_C=25℃

SYMBOL

V_DSS

RATING

500

UNIT

1. GATE

2. DRAIN

3. SOURCE

V_GSS

±30

4.3

I_D

Drain Current

@T_C=100℃

2.7

DPAK (1)

I_DP

Pulsed (Note1)

Single Pulsed Avalanche Energy

(Note 2)

E_AS

270

8.6

Repetitive Avalanche Energy

(Note 1)

E_AR

Peak Diode Recovery dv/dt

(Note 3)

dv/dt

V/ns

59.5

0.48

W/℃

℃

Tc=25℃

Derate above 25℃

Drain Power

Dissipation

P_D

T_j

Maximum Junction Temperature

Storage Temperature Range

150

T_stg

-55∼ 150

℃

Thermal Characteristics

R_thJC

R_thJA

Thermal Resistance, Junction-to-Case

2.1

℃/W

Thermal Resistance, Junction-to-

Ambient

110

PIN CONNECTION

(KF5N50D)

(KF5N50DZ)

2008. 12. 3

Revision No : 1

1/6

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