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KF5N50PZ

更新时间： 2024-11-23 05:40:51
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KEC /
页数 文件大小 规格书
7页 81K
描述
N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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KF5N50PZ 技术参数

生命周期：Not Recommended零件包装代码：TO-220AB
包装说明：TO-220AB, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.66
雪崩能效等级（Eas）：270 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：5 A
最大漏极电流 (ID)：5 A最大漏源导通电阻：1.4 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：83 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：13 A子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

KF5N50PZ 数据手册

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KF5N50P/F/PZ/FZ  
SEMICONDUCTOR  
N CHANNEL MOS FIELD  
EFFECT TRANSISTOR  
TECHNICAL DATA  
General Description  
KF5N50P, KF5N50PZ  
A
O
This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast  
switching time, low on resistance, low gate charge and excellent  
avalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast and  
switching mode power supplies.  
C
F
E
I
DIM MILLIMETERS  
G
_
9.9 + 0.2  
A
B
C
D
E
F
B
15.95 MAX  
1.3+0.1/-0.05  
Q
_
0.8+ 0.1  
FEATURES  
_
3.6 0.2  
+
_
2.8+ 0.1  
· VDSS= 500V, ID= 5.0A  
K
P
3.7  
G
H
I
· Drain-Source ON Resistance : RDS(ON)=1.4Ω @VGS = 10V  
· Qg(typ) = 12nC  
M
N
0.5+0.1/-0.05  
1.5  
L
J
_
13.08+ 0.3  
J
K
L
M
N
O
P
D
1.46  
_
1.4 + 0.1  
H
N
_
1.27+ 0.1  
_
2.54+ 0.2  
℃
)
MAXIMUM RATING (Tc=25  
_
+
4.5 0.2  
_
+
2.4 0.2  
RATING  
_
9.2 + 0.2  
Q
CHARACTERISTIC  
SYMBOL  
UNIT  
1
2
3
1. GATE  
KF5N50P  
KF5N50F  
2. DRAIN  
3. SOURCE  
KF5N50PZ  
KF5N50FZ  
VDSS  
VGSS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
@TC=25℃  
500  
V
V
±30  
TO-220AB  
5.0  
2.9  
13  
5.0*  
2.9*  
13*  
ID  
Drain Current  
@TC=100℃  
A
KF5N50F, KF5N50FZ  
IDP  
Pulsed (Note1)  
A
C
Single Pulsed Avalanche Energy  
(Note 2)  
EAS  
270  
8.6  
4.5  
mJ  
mJ  
S
Repetitive Avalanche Energy  
(Note 1)  
MILLIMETERS  
_
E
DIM  
EAR  
A
B
C
D
E
F
10.0  
15.0  
2.70  
+
0.3  
0.3  
0.3  
_
+
Peak Diode Recovery dv/dt  
(Note 3)  
dv/dt  
V/ns  
_
+
0.76+0.09/-0.05  
_
83  
41.5  
0.33  
W
W/℃  
℃
Tc=25℃  
Φ3.2+0.2  
Drain Power  
Dissipation  
PD  
L
L
_
+
3.0  
0.3  
R
0.66  
Derate above 25℃  
_
+
0.3  
G
H
J
12.0  
0.5+0.1/-0.05  
M
Tj  
Maximum Junction Temperature  
150  
_
13.6 0.5  
+
D
D
_
3.7 0.2  
+
K
L
M
N
P
Tstg  
Storage Temperature Range  
Thermal Characteristics  
-55∼ 150  
℃
1.2+0.25/-0.1  
1.5+0.25/-0.1  
_
N
N
H
+
2.54 0.1  
_
+
6.8 0.1  
RthJC  
RthJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
1.5  
3.0  
62.5  
℃/W  
℃/W  
_
Q
R
S
4.5 0.2  
+
Thermal Resistance, Junction-to-  
Ambient  
_
2.6 0.2  
+
62.5  
0.5 Typ  
3
2
1
1. GATE  
2. DRAIN  
3. SOURCE  
* : Drain current limited by maximum junction temperature.  
PIN CONNECTION  
TO-220IS  
(KF5N50P, KF5N50F)  
(KF5N50PZ, KF5N50FZ)  
D
D
G
G
S
S
2008. 11. 19  
Revision No : 0  
1/7  
1234567

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