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KF5N60I

更新时间： 2024-11-23 11:29:35
品牌 Logo 应用领域
KEC 晶体晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
6页 406K
描述
N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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KF5N60I 技术参数

生命周期：Not Recommended包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.66Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：140 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.5 A
最大漏极电流 (ID)：3.5 A最大漏源导通电阻：2 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：59.5 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：13 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

KF5N60I 数据手册

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KF5N60D/I  
SEMICONDUCTOR  
N CHANNEL MOS FIELD  
EFFECT TRANSISTOR  
TECHNICAL DATA  
General Description  
KF5N60D  
This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast  
switching time, fast reverse recovery time, low on resistance, low gate  
charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for  
electronic ballast and switching mode power supplies.  
A
C
K
DIM MILLIMETERS  
L
D
B
_
6.60 + 0.20  
A
B
C
D
E
_
6.10+0.20  
_
5.34 + 0.30  
_
0.70+0.20  
_
2.70 + 0.15  
FEATURES  
_
2.30+0.10  
F
0.96 MAX  
0.90 MAX  
G
H
J
· VDSS= 600V, ID= 3.5A  
H
J
_
1.80+0.20  
· Drain-Source ON Resistance : RDS(ON)=2.0Ω (Max) @VGS = 10V  
· Qg(typ) = 11nC  
E
_
2.30+0.10  
K
L
G
N
_
0.50 + 0.10  
_
0.50+0.10  
F
F
M
M
N
0.70 MIN  
1
2
3
1. GATE  
2. DRAIN  
3. SOURCE  
MAXIMUM RATING (Tc=25℃)  
CHARACTERISTIC  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
@TC=25℃  
SYMBOL  
VDSS  
RATING  
600  
UNIT  
V
VGSS  
V
±30  
3.5  
DPAK (1)  
ID  
Drain Current  
@TC=100℃  
2.2  
A
IDP  
KF5N60I  
Pulsed (Note1)  
13  
A
C
H
Single Pulsed Avalanche Energy  
(Note 2)  
EAS  
J
140  
3.5  
4.5  
mJ  
mJ  
Repetitive Avalanche Energy  
(Note 1)  
EAR  
DIM MILLIMETERS  
Peak Diode Recovery dv/dt  
(Note 3)  
_
6.6 0.2  
+
A
B
C
D
E
F
dv/dt  
V/ns  
_
6.1 0.2  
+
M
_
5.34 0.3  
+
59.5  
0.48  
W
W/℃  
℃
Tc=25℃  
P
Drain Power  
Dissipation  
_
0.7 0.2  
+
PD  
N
_
9.3 0.3  
+
Derate above 25℃  
_
2.3 0.2  
+
_
0.76 0.1  
+
Tj  
Maximum Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
150  
G
H
J
G
_
2.3 0.1  
+
Tstg  
-55∼ 150  
℃
_
L
0.5 0.1  
+
F
F
_
K
L
M
N
P
1.8 0.2  
+
Thermal Characteristics  
_
+
0.5  
0.1  
_
1.0 0.1  
+
RthJC  
RthJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
2.1  
℃/W  
℃/W  
0.96 MAX  
_
1
2
3
1. GATE  
2. DRAIN  
3. SOURCE  
1.02 0.3  
+
Thermal Resistance, Junction-to-  
Ambient  
110  
PIN CONNECTION  
IPAK(1)  
D
G
S
2011. 1. 26  
Revision No : 0  
1/6  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KF5N60P KEC

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