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KF5N50DZ

更新时间： 2024-11-09 05:40:51
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KEC /
页数 文件大小 规格书
6页 67K
描述
N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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KF5N50DZ 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.67雪崩能效等级（Eas）：270 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.3 A最大漏极电流 (ID)：4.3 A
最大漏源导通电阻：1.4 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：59.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：13 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

KF5N50DZ 数据手册

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KF5N50D/DZ  
SEMICONDUCTOR  
N CHANNEL MOS FIELD  
EFFECT TRANSISTOR  
TECHNICAL DATA  
General Description  
This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast  
switching time, low on resistance, low gate charge and excellent  
avalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast and  
switching mode power supplies.  
A
C
K
DIM MILLIMETERS  
L
D
B
_
6.60 + 0.20  
A
B
C
D
E
_
6.10+0.20  
_
5.34 + 0.30  
_
0.70+0.20  
_
2.70 + 0.15  
FEATURES  
_
2.30+0.10  
F
0.96 MAX  
0.90 MAX  
G
H
J
· VDSS= 500V, ID= 4.3A  
H
J
_
1.80+0.20  
· Drain-Source ON Resistance : RDS(ON)=1.4Ω (Max) @VGS = 10V  
· Qg(typ) = 12nC  
E
_
2.30+0.10  
K
L
G
N
_
0.50 + 0.10  
_
0.50+0.10  
F
F
M
M
N
0.70 MIN  
℃
)
MAXIMUM RATING (Tc=25  
CHARACTERISTIC  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
@TC=25℃  
SYMBOL  
VDSS  
RATING  
500  
UNIT  
V
1
2
3
1. GATE  
2. DRAIN  
3. SOURCE  
VGSS  
V
±30  
4.3  
ID  
Drain Current  
@TC=100℃  
2.7  
A
DPAK (1)  
IDP  
Pulsed (Note1)  
13  
Single Pulsed Avalanche Energy  
(Note 2)  
EAS  
270  
8.6  
20  
mJ  
mJ  
Repetitive Avalanche Energy  
(Note 1)  
EAR  
Peak Diode Recovery dv/dt  
(Note 3)  
dv/dt  
V/ns  
59.5  
0.48  
W
W/℃  
℃
Tc=25℃  
Derate above 25℃  
Drain Power  
Dissipation  
PD  
Tj  
Maximum Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
150  
Tstg  
-55∼ 150  
℃
Thermal Characteristics  
RthJC  
RthJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
2.1  
℃/W  
℃/W  
Thermal Resistance, Junction-to-  
Ambient  
110  
PIN CONNECTION  
(KF5N50D)  
(KF5N50DZ)  
D
D
G
G
S
S
2008. 12. 3  
Revision No : 1  
1/6  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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