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KDV302E

更新时间： 2024-11-25 11:29:27

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KEC		二极管局域网
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2页	40K
描述
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

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KDV302E 技术参数

生命周期：	Not Recommended	包装说明：	ESC, 2 PIN
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.76	配置：	SINGLE
二极管电容容差：	5.08%	最小二极管电容比：	1.07
标称二极管电容：	59 pF	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	VARIABLE CAPACITANCE DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

KDV302E 数据手册

KDV302E

SEMICONDUCTOR

VARIABLE CAPACITANCE DIODE

SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

TECHNICAL DATA

TV TUNING.

FEATURES

High Capacitance Ratio

Low Series Resistance

MAXIMUM RATING (Ta=25

CHARACTERISTIC

)

SYMBOL

RATING

UNIT

V_R

T_j

Reverse Voltage

DIM MILLIMETERS

1.60+0.10

1.20+0.10

Junction Temperature

Storage Temperature Range

125

0.80+0.10

0.30 0.05

T_stg

-55 125

0.60 0.10

1. ANODE

0.13 0.05

2. CATHODE

ESC

Marking

Type Name

V 5

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25

)

CHARACTERISTIC

Reverse Current

SYMBOL

I_R

TEST CONDITION

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

V_R=32V

C_1V

C_2V

V_R=1V, f=1MHz

V_R=2V, f=1MHz

V_R=25V, f=1MHz

V_R=28V, f=1MHz

56.0

62.0

46.0

2.85

Capacitance

C_25V

C_28V

2.45

21.6

1.25

1.07

2.80

C_1V/C_28V

C_1V/C_2V

C_25V/C_28V

22.4

Capacitance Ratio

Series Resistance

1.08

V_R=5V, f=470MHz

1.15

Note : Available in matched group for capacitance to 2.0%.

C(Max.)-C(Min.)

0.02

C(Min.)

(V_R=1~28V)

2008. 5. 8

Revision No : 0

1/2

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