生命周期: | Obsolete | 包装说明: | R-PDSO-F2 |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.80 |
风险等级: | 5.84 | 配置: | SINGLE |
二极管电容容差: | 5.88% | 最小二极管电容比: | 2.2 |
标称二极管电容: | 6.8 pF | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | VARIABLE CAPACITANCE DIODE | 频带: | VERY HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY |
JESD-30 代码: | R-PDSO-F2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子形式: | FLAT |
端子位置: | DUAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
KDV358 | KEC |
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USC PACKAGE | |
KDV358F | KEC |
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TFSC PACKAGE | |
KDV365F | KEC |
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TFSC PACKAGE | |
KDV368E | KEC |
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ESC PACKAGE | |
KDV368F | KEC |
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TFSC PACKAGE | |
KDV386S | KEC |
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SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE | |
KDV804 | KEC |
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VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(TUNING OF SEPERATE RESONANT CIRC | |
KDV804KS | KEC |
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SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE | |
KDV804M | KEC |
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VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(TUNING OF SEPERATE RESONANT CIRC | |
KDV804S | KEC |
获取价格 |
VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(TUNING OF SEPERATE RESONANT CIRC |