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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-92M |
| 包装说明： | R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.7 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS |
| 二极管电容容差： | 6.15% | 最小二极管电容比： | 1.65 |
| 标称二极管电容： | 44.75 pF | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | VARIABLE CAPACITANCE DIODE | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KDV804S | KEC |
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VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(TUNING OF SEPERATE RESONANT CIRC |
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| KDV804S_02 | KEC |
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SOT-23 PACKAGE |
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| KDW2503N | TYSEMI |
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5.5 A, 20 V. RDS(ON) = 0.021 Fast switching speed High performance trench technology for e |
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| KDW2503N | KEXIN |
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Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
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| KDW2504P | KEXIN |
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Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
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| KDW2504P | TYSEMI |
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3.8 A, - 20 V. RDS(ON) = 0.043 Low gate charge High performance trench technology for extr |
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| KDW2521C | TYSEMI |
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N-Channel 5.5 A, 20 V P-Channel -3.8 A, 20 V High performance trench technology for extrem |
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| KDW2521C | KEXIN |
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Complementary PowerTrench MOSFET |
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| KDW258P | KEXIN |
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P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET |
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| KDY | ETC |
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BUSS CABLE LIMITER |
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