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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | R-PDSO-F2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 最小击穿电压： | 15 V | 配置： | SINGLE |
| 二极管电容容差： | 2.7% | 最小二极管电容比： | 3 |
| 标称二极管电容： | 27.8 pF | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | VARIABLE CAPACITANCE DIODE | 频带： | VERY HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KDV368E | KEC |
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ESC PACKAGE |
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| KDV368F | KEC |
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TFSC PACKAGE |
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| KDV386S | KEC |
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SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE |
|
| KDV804 | KEC |
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VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(TUNING OF SEPERATE RESONANT CIRC |
|
| KDV804KS | KEC |
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SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE |
|
| KDV804M | KEC |
获取价格 |
VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(TUNING OF SEPERATE RESONANT CIRC |
|
| KDV804S | KEC |
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VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(TUNING OF SEPERATE RESONANT CIRC |
|
| KDV804S_02 | KEC |
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SOT-23 PACKAGE |
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| KDW2503N | TYSEMI |
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5.5 A, 20 V. RDS(ON) = 0.021 Fast switching speed High performance trench technology for e |
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| KDW2503N | KEXIN |
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Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
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