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KDV804KS

更新时间： 2024-11-25 11:29:27

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KEC		二极管局域网
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2页	70K
描述
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

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KDV804KS 技术参数

生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SOT-23, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.7
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管电容容差：	6.15%
最小二极管电容比：	1.74	标称二极管电容：	44.75 pF
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	2
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

KDV804KS 数据手册

KDV804KS

SEMICONDUCTOR

VARIABLE CAPACITANCE DIODE

SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

TECHNICAL DATA

TUNING OF SEPERATE RESONANT CIRCUIT, PUSH-PULL

CIRCUIT IN FM RANGE, ESPECIALLY FOR CAR AUDIO.

DIM MILLIMETERS

2.93+0.20

FEATURES

1.30+0.20/-0.15

1.30 MAX

0.45+0.15/-0.05

2.40+0.30/-0.20

1.90

Low Series Resistance : rs=0.3(TYP.).

Small Package : SOT-23.

0.95

0.13+0.10/-0.05

0.00 ~ 0.10

0.55

MAXIMUM RATING (Ta=25

CHARACTERISTIC

)

0.20 MIN

1.00+0.20/-0.10

SYMBOL RATING

UNIT

V_R

T_j

Reverse Voltage

150

Junction Temperature

1. ANODE 1

2. ANODE 2

3. CATHODE

T_stg

Storage Temperature Range

-55 150

SOT-23

CLASSIFICATION OF CAPACITANCE RATIO GRADE

CAPACITANCE(C_2V

)

GRADE

UNIT

42 43.5

43 44.5

44 45.5

45 46.5

46 47.5

Marking

Grade

Lot No.

Type Name

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25

)

CHARACTERISTIC

Reverse Voltage

SYMBOL

V_R

TEST CONDITION

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

I_R=10 A

I_R

V_R=15V

Reverse Current

C_2V

V_R=2V, f=1MHz

V_R=8V, f=1MHz

1.74

47.5

28.8

1.85

0.4

Capacitance

C_8V

C_2V/C_8V

r_S

Capacitance Ratio

Series Resistance

C=38pF, f=100MHz

0.3

2003. 9. 16

Revision No : 0

1/2

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