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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KDV804KS | KEC |
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SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE |
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| KDV804M | KEC |
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VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(TUNING OF SEPERATE RESONANT CIRC |
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| KDV804S | KEC |
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VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(TUNING OF SEPERATE RESONANT CIRC |
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| KDV804S_02 | KEC |
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SOT-23 PACKAGE |
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| KDW2503N | TYSEMI |
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5.5 A, 20 V. RDS(ON) = 0.021 Fast switching speed High performance trench technology for e |
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| KDW2503N | KEXIN |
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Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
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| KDW2504P | KEXIN |
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Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
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| KDW2504P | TYSEMI |
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3.8 A, - 20 V. RDS(ON) = 0.043 Low gate charge High performance trench technology for extr |
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| KDW2521C | TYSEMI |
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N-Channel 5.5 A, 20 V P-Channel -3.8 A, 20 V High performance trench technology for extrem |
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| KDW2521C | KEXIN |
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Complementary PowerTrench MOSFET |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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