Datasheet > KDV350

KDV350

更新时间： 2024-11-24 22:47:39

品牌	Logo	应用领域
KEC		二极管变容二极管局域网
页数	文件大小	规格书
2页	71K
描述
VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(VCO)

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

KDV350 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.76
配置：	SINGLE	二极管电容容差：	7.69%
最小二极管电容比：	2.8	标称二极管电容：	16.25 pF
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
变容二极管分类：	ABRUPT	Base Number Matches：	1

KDV350 数据手册

KDV350

SEMICONDUCTOR

VARIABLE CAPACITANCE DIODE

SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

TECHNICAL DATA

VCO.

FEATURES

ᴌLow Series Resistance : r_S=0.50ή(Max.)

ᴌSmall Package.

MAXIMUM RATING (Ta=25ᴱ)

DIM

CHARACTERISTIC

Reverse Voltage

SYMBOL

RATING

UNIT

MILLIMETERS

2.50+0.1

1.25 0.05

V_R

T_j

0.90 0.05

0.30+0.06/-0.04

Junction Temperature

150

ᴱ

1.70 0.05

MIN 0.17

T_stg

Storage Temperature Range

-55ᴕ150

ᴱ

0.126 0.03

1. ANODE

0~0.1

1.0 MAX

0.15 0.05

2. CATHODE

0.4+0.05

+4/-2

4~6

USC

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25ᴱ)

CHARACTERISTIC

Reverse Voltage

SYMBOL

TEST CONDITION

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

V_R

I_R

I_R=1ỌA

V_R=15V

Reverse Current

C_1V

C_4V

V_R=1V, f=1MHz

V_R=4V, f=1MHz

C_1V/C_4V, f=1MHz

V_R=1V, f=470MHz

15.0

5.3

2.8

17.5

6.3

Capacitance

Capacitance Ratio

Series Resistance

r_S

0.5

ή

Marking

Type Name

U K

2001. 6. 11

Revision No : 1

1/2

中文翻译

下载PDF

与KDV350相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KDV350E	KEC	获取价格	VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(VCO)
KDV350E_0012	KEC	获取价格	ESC PACKAGE
KDV350F	KEC	获取价格	TFSC PACKAGE
KDV355E	KEC	获取价格	SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
KDV355F	KEC	获取价格	TFSC PACKAGE
KDV358	KEC	获取价格	USC PACKAGE
KDV358F	KEC	获取价格	TFSC PACKAGE
KDV365F	KEC	获取价格	TFSC PACKAGE
KDV368E	KEC	获取价格	ESC PACKAGE
KDV368F	KEC	获取价格	TFSC PACKAGE