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KDV350E

更新时间： 2024-11-24 22:47:39

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KEC		二极管变容二极管光电二极管局域网
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2页	68K
描述
VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(VCO)

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KDV350E 技术参数

生命周期：	Not Recommended	包装说明：	ESC, 2 PIN
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	二极管电容容差：	7.69%
最小二极管电容比：	2.8	标称二极管电容：	16.25 pF
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

KDV350E 数据手册

KDV350E

SEMICONDUCTOR

VARIABLE CAPACITANCE DIODE

SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

TECHNICAL DATA

VCO.

FEATURES

ᴌLow Series Resistance : r_S=0.50ή(Max.)

ᴌSmall Package. (ESC Package)

MAXIMUM RATING (Ta=25ᴱ)

CHARACTERISTIC

Reverse Voltage

SYMBOL

RATING

UNIT

DIM MILLIMETERS

V_R

T_j

1.60+0.10

1.20+0.10

Junction Temperature

150

ᴱ

0.80+0.10

0.30+0.05

T_stg

Storage Temperature Range

-55ᴕ150

ᴱ

0.60 0.10

1. ANODE

2. CATHODE

0.13 0.05

ESC

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25ᴱ)

CHARACTERISTIC

Reverse Voltage

SYMBOL

TEST CONDITION

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

V_R

I_R

I_R=1ỌA

V_R=15V

Reverse Current

C_1V

C_4V

V_R=1V, f=1MHz

V_R=4V, f=1MHz

C_1V/C_4V, f=1MHz

V_R=1V, f=470MHz

15.0

5.3

2.8

17.5

6.3

Capacitance

Capacitance Ratio

Series Resistance

r_S

0.5

ή

Marking

Type Name

U K

2000. 3. 7

Revision No : 0

1/2

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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