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KDV303N

更新时间： 2024-11-25 05:40:47

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Digital FET, N-Channel

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KDV303N 数据手册

SMD Type

MOSFIECT

Digital FET, N-Channel

KDV303N

SOT-23

Unit: mm

+0.1

2.9

-0.1

■ Features

+0.1

0.4

-0.1

●

0.68 A, 25 V. RDS(ON) = 0.45 Ω @ VGS = 4.5 V

RDS(ON) = 0.6Ω @ VGS = 2.7 V.

● Very low level gate drive requirements allowing direct

operation in 3V circuits. VGS(th) < 1.5V.

+0.1

0.95

-0.1

+0.05

0.1

-0.01

+0.1

1.9

-0.1

● Gate-Source Zener for ESD ruggedness.

＞6kV Human Body Model

1.Base

1. Gate

2.Emitter

2. Source

3. Drain

3.collector

■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃

Parameter

Drain to Source Voltage

Symbol

VDSS

Rating

Unit

Gate to Source Voltage

VGSS

Drain Current- Continuous

0.68

Drain Current- pulse

Power Dissipation for Single Operation

Operating and Storage Junction Temperature Range

Thermal Resistance, Junction-to- Ambient

0.35

TJ, Tstg

RθJA

-55 to +150

357

℃

℃/W

www.kexin.com.cn

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