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| 生命周期： | Not Recommended | 包装说明： | ESC, 2 PIN |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.76 | Is Samacsys： | N |
| 最小击穿电压： | 32 V | 配置： | SINGLE |
| 二极管电容容差： | 9.09% | 最小二极管电容比： | 14.5 |
| 标称二极管电容： | 43.45 pF | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | VARIABLE CAPACITANCE DIODE | JESD-30 代码： | R-PDSO-F2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KDV302E | KEC |
获取价格 |
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE |
|
| KDV303N | TYSEMI |
获取价格 |
0.68 A, 25 V. RDS(ON) = 0.45 VGS = 4.5 V Gate-Source Zener for ESD ruggedness. |
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| KDV303N | KEXIN |
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Digital FET, N-Channel |
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| KDV310E | KEC |
获取价格 |
VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE TV Tuning |
|
| KDV316E | KEC |
获取价格 |
ESC PACKAGE |
|
| KDV348E | KEC |
获取价格 |
VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE |
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| KDV348E_0911 | KEC |
获取价格 |
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE |
|
| KDV350 | KEC |
获取价格 |
VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(VCO) |
|
| KDV350E | KEC |
获取价格 |
VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(VCO) |
|
| KDV350E_0012 | KEC |
获取价格 |
ESC PACKAGE |
|
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