生命周期: | Obsolete | 包装说明: | R-PDSO-G2 |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.80 |
风险等级: | 5.76 | Is Samacsys: | N |
最小击穿电压: | 32 V | 配置: | SINGLE |
二极管电容容差: | 9.09% | 最小二极管电容比: | 14.5 |
标称二极管电容: | 43.45 pF | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | VARIABLE CAPACITANCE DIODE | JESD-30 代码: | R-PDSO-G2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
KDV300E | KEC |
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ESC PACKAGE | |
KDV300V | KEC |
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VSC PACKAGE | |
KDV301E | KEC |
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ESC PACKAGE | |
KDV302E | KEC |
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SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE | |
KDV303N | TYSEMI |
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0.68 A, 25 V. RDS(ON) = 0.45 VGS = 4.5 V Gate-Source Zener for ESD ruggedness. | |
KDV303N | KEXIN |
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Digital FET, N-Channel | |
KDV310E | KEC |
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VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE TV Tuning | |
KDV316E | KEC |
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ESC PACKAGE | |
KDV348E | KEC |
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VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE | |
KDV348E_0911 | KEC |
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SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE |