5秒后页面跳转
KDV300 PDF预览

KDV300

更新时间: 2024-11-21 11:29:27
品牌 Logo 应用领域
KEC 二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
1页 347K
描述
USC PACKAGE

KDV300 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-G2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.76Is Samacsys:N
最小击穿电压:32 V配置:SINGLE
二极管电容容差:9.09%最小二极管电容比:14.5
标称二极管电容:43.45 pF二极管元件材料:SILICON
二极管类型:VARIABLE CAPACITANCE DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-G2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

KDV300 数据手册

  
SEMICONDUCTOR  
MARKING SPECIFICATION  
KDV300  
USC PACKAGE  
1. Marking method  
Laser Marking  
2. Marking  
2
VC  
1
No.  
Item  
Marking  
Description  
Device Mark  
hFE Grade  
VC  
-
KDV300  
-
2006. 1st Week  
[0:1st Character, 1:2nd Character]  
* Lot No.  
01  
Note) * Lot No. marking method  
1
(A)  
2
(B)  
3
(C)  
4
(D)  
5
(E)  
6
(F)  
7
(G)  
8
(H)  
9
(I)  
0
(J)  
1 st Character  
Character  
arrangement  
A
(1)  
B
(2)  
C
(3)  
D
(4)  
E
(5)  
F
(6)  
G
(7)  
H
(8)  
I
(9)  
J
(0)  
2nd Character  
Year  
Marking (Week)  
Periode (Year)  
Remark  
1 st Year (2006)  
2 nd Year (2007)  
3 rd Year (2008)  
4 th Year (2009)  
01  
0A  
J1  
02  
51  
52  
5B  
E2  
EB  
2006-2010-2014...  
2007-2011-2015...  
2008-2012-2016...  
2009-2013-2017...  
0B  
J2  
5A  
E1  
Rotation for 4 years  
JA  
JB  
EA  
2008. 9. 11  
Revision No : 1  
1/1  

与KDV300相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KDV300E KEC

获取价格

ESC PACKAGE
KDV300V KEC

获取价格

VSC PACKAGE
KDV301E KEC

获取价格

ESC PACKAGE
KDV302E KEC

获取价格

SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
KDV303N TYSEMI

获取价格

0.68 A, 25 V. RDS(ON) = 0.45 VGS = 4.5 V Gate-Source Zener for ESD ruggedness.
KDV303N KEXIN

获取价格

Digital FET, N-Channel
KDV310E KEC

获取价格

VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE TV Tuning
KDV316E KEC

获取价格

ESC PACKAGE
KDV348E KEC

获取价格

VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
KDV348E_0911 KEC

获取价格

SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE