KDTD001

更新时间： 2024-09-16 03:47:43

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可天士 - KODENSHI		晶体光电晶体管光电晶体管
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Photo transistors

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KDTD001 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.17
Is Samacsys：	N	最大暗电源：	100 nA
安装特点：	THROUGH HOLE MOUNT	最大通态电流：	0.02 A
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
峰值波长：	880 nm	最大功率耗散：	0.075 W
子类别：	Photo Transistors	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

KDTD001 数据手册

Photo transistors

KDTD001

The KDTD001, a high-sensitivity NPN silicon

[Unit : mm]

Dimensions

phototransistor mounted in a 2nd Mold package

is compact, low profile and easy to mount.

Features

Low profile package

Side-looking with plastic package

RoHS Compliance

Small 2nd Mold Package

Applications

OA machines

Photointerrupter

G.Tolerance :

0.2

[T_A= 25 ]

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Symbol

V_CEO

V_ECO

I_C

Rating

Unit

C-E Voltage

E-C Voltage

Collector current

Collector power dissipation

Operating temp

Storage temp

P_C

Topr.

Tstg.

Tsol

-25~+85

-30~+100

260

Soldering temp

*1. For MAX.5 seconds at the position of 2mm from the package

[T_A= 25

]

Electro-Optical Characteristics

Parameter

Collector dark current

Light current

Symbol

I_CEO

Conditions

V_CEO=10V

Min.

Typ.

Max.

Unit.

1.2

100

I_L

V_CE=5V, 1,000lx

V_CE(sat) I_C=0.5mA, 2,000lx

C-E saturation voltage

0.2

Rise time

Fall time

3.2

V_CC=10V,I_C=5mA

R_L=100

Switching speeds

3.2

500~1,050

880

Spectral sensitivity

Peak wavelength

Half Angle

degrees

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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KDV142EL	KEC	获取价格	SILICON EPITAXIAL PIN TYPE DIODE
KDV142EL_07	KEC	获取价格	SILICON EPITAXIAL PIN TYPE DIODE
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KDV142V	KEC	获取价格	SILICON EPITAXIAL PIN TYPE DIODE
KDV1430	KEC	获取价格	VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
KDV143EL	KEC	获取价格	SILICON EPITAXIAL PIN TYPE DIODE
KDV143F	KEC	获取价格	TFSC PACKAGE