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KDV1480

更新时间： 2024-11-18 11:29:27

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KEC		二极管局域网
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2页	73K
描述
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

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KDV1480 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.76
最小击穿电压：	16 V	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管电容容差：	7.64%	最小二极管电容比：	2.5
标称二极管电容：	39.98 pF	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	VARIABLE CAPACITANCE DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
认证状态：	Not Qualified	最小质量因数：	60
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

KDV1480 数据手册

KDV1480

SEMICONDUCTOR

VARIABLE CAPACITANCE DIODE

SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

TECHNICAL DATA

FM RADIO BAND TUNING APPLICATION.

FEATURES

Applicable to FM wide band due to high capacitance ratio.

Excellent C-V Characteristics.

Variations of Capacitance Values is Little.

Small Package.

DIM MILLIMETERS

2.93 0.20

1.30+0.20/-0.15

1.30 MAX

0.45+0.15/-0.05

2.40+0.30/-0.20

1.90

0.95

0.13+0.10/-0.05

0.00 ~ 0.10

0.55

0.20 MIN

1.00+0.20/-0.10

MAXIMUM RATING (Ta=25

CHARACTERISTIC

)

SYMBOL

RATING

UNIT

V_R

T_j

Reverse Voltage

1. ANODE 1

2. ANODE 2

3. CATHODE

Junction Temperature

150

T_stg

Storage Temperature Range

-55 150

SOT-23

Marking

Lot No.

Type Name

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25

)

CHARACTERISTIC

Reverse Voltage

SYMBOL

TEST CONDITION

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

V_R

I_R

I_R=10 A

V_R=10V

Reverse Current

C_3.0V

C_4.5V

C_6.0V

C_8.0V

V_R=3.0V, f=1MHz

V_R=4.5V, f=1MHz

V_R=6.0V, f=1MHz

V_R=8.0V, f=1MHz

V_R=3.0V, f=100MHz

36.92

27.45

19.91

12.77

43.03

32.80

25.61

16.84

Capacitance

(Note1)

Figure of merit

C_3.0V/C_8.0V

Capacitance Ratio

2.50

3.00

Note 1) Capacitance value of one diode.

2004. 2. 12

Revision No : 1

1/2

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