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KDV214V

更新时间: 2024-11-18 11:29:27
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KEC /
页数 文件大小 规格书
1页 13K
描述
VSC PACKAGE

KDV214V 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-F2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.73最小击穿电压:32 V
配置:SINGLE二极管电容容差:5.35%
最小二极管电容比:6.3标称二极管电容:14.95 pF
二极管元件材料:SILICON二极管类型:VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-F2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:125 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:DUALBase Number Matches:1

KDV214V 数据手册

  
SEMICONDUCTOR  
MARKING SPECIFICATION  
KDV214V  
VSC PACKAGE  
1. Marking method  
Laser Marking  
2. Marking  
V1  
No.  
Item  
Device Mark  
Marking  
V1  
Dvscription  
KDV214V  
2005. 4. 8  
Revision No : 0  
1/1  

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