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KDV215

更新时间： 2024-11-06 11:29:27

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KEC		二极管光电二极管局域网
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2页	36K
描述
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

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KDV215 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-G2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	二极管电容容差：	6.87%
最小二极管电容比：	5.9	标称二极管电容：	15.21 pF
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	125 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

KDV215 数据手册

KDV215

SEMICONDUCTOR

VARIABLE CAPACITANCE DIODE

SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

TECHNICAL DATA

TV TUNING.

FEATURES

High Capacitance Ratio : C2V/C25V=6.5(Typ.)

Low Series Resistance : r_S=0.4 (Typ.)

Excellent C-V Characteristics, and Small Tracking Error.

Useful for Small Size Tuner.

DIM

MILLIMETERS

2.50+0.1

MAXIMUM RATING (Ta=25

CHARACTERISTIC

)

1.25 0.05

0.90 0.05

SYMBOL

V_R

RATING

UNIT

0.30+0.06/-0.04

1.70 0.05

Reverse Voltage

MIN 0.17

0.126 0.03

V_RM

T_j

Peak Reverse Voltage

Junction Temperature

35 (R_L=10

125

)

1. ANODE

0~0.1

1.0 MAX

2. CATHODE

0.15 0.05

0.4+0.05

T_stg

Storage Temperature Range

-55 125

+4/-2

4~6

USC

Marking

Type Name

V A

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25

)

CHARACTERISTIC

SYMBOL

TEST CONDITION

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

I_R

V_R=30V

Reverse Current

100

V_R=30V, (Ta=60

V_R=2V, f=1MHz

)

C_2V

14.16

2.11

5.90

16.25

2.43

7.15

0.55

Capacitance

C_25V

C_2V/C_25V

r_S

V_R=25V, f=1MHz

Capacitance Ratio

Series Resistance

6.50

0.4

V_R=5V, f=470MHz

Note : Available in matched group for capacitance to 2.5%.

C(Max.)-C(Min.)

0.025

C(Min.)

(V_R=2~25V)

2005. 12. 7

Revision No : 0

1/2

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