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KDV257E

更新时间： 2024-11-20 22:32:23

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KEC		二极管变容二极管光电二极管局域网
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2页	66K
描述
VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(VCO FOR UHF/VHF BAND)

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KDV257E 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	二极管电容容差：	9.3%
最小二极管电容比：	1.3	标称二极管电容：	21.5 pF
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带：	VERY HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY	JESD-30 代码：	R-PDSO-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

KDV257E 数据手册

KDV257E

SEMICONDUCTOR

VARIABLE CAPACITANCE DIODE

SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

TECHNICAL DATA

VCO FOR UHF/VHF BAND.

FEATURES

ᴌLow Series Resistance : r_s=0.50ή(Max.)

MAXIMUM RATING (Ta=25ᴱ)

CHARACTERISTIC

Reverse Voltage

SYMBOL

RATING

UNIT

V_R

T_j

DIM MILLIMETERS

Junction Temperature

150

ᴱ

1.60+0.10

1.20+0.10

T_stg

Storage Temperature Range

-55ᴕ150

ᴱ

0.80+0.10

0.30+0.05

0.60 0.10

1. ANODE

2. CATHODE

0.13 0.05

ESC

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25ᴱ)

CHARACTERISTIC

Reverse Voltage

SYMBOL

TEST CONDITION

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

V_R

I_R

I_R=1ỌA

V_R=10V

Reverse Current

C_1V

C_2V

V_R=1V, f=1MHz

V_R=2V, f=1MHz

19.5

14.3

1.3

23.5

17.6

Capacitance

Capacitance Ratio

Series Resistance

r_S

V_R=1V, f=470MHz

0.5

ή

Marking

Type Name

E A

2001. 6. 11

Revision No : 0

1/2

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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