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KDV239

更新时间: 2024-11-17 22:32:23
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KEC 二极管变容二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 75K
描述
VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(VCO FOR UHF RADIO)

KDV239 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-G2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.84配置:SINGLE
二极管电容容差:10.59%最小二极管电容比:2
标称二极管电容:4.25 pF二极管元件材料:SILICON
二极管类型:VARIABLE CAPACITANCE DIODE频带:ULTRA HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码:R-PDSO-G2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUALBase Number Matches:1

KDV239 数据手册

 浏览型号KDV239的Datasheet PDF文件第2页 
KDV239  
SEMICONDUCTOR  
VARIABLE CAPACITANCE DIODE  
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE  
TECHNICAL DATA  
VCO FOR UHF RADIO.  
FEATURES  
Ultra Low Series Resistance : rS=0.44(Typ.)  
Small Package.  
G
B
1
H
2
J
D
C
I
MAXIMUM RATING (Ta=25)  
CHARACTERISTIC  
Reverse Voltage  
SYMBOL  
RATING  
15  
UNIT  
V
DIM  
A
MILLIMETERS  
_
2.50+0.1  
_
VR  
Tj  
+
1.25 0.05  
B
C
D
E
_
+
0.90 0.05  
0.30+0.06/-0.04  
Junction Temperature  
150  
M
M
_
+
1.70 0.05  
Tstg  
MIN 0.17  
Storage Temperature Range  
F
G
H
I
-55150  
_
+
0.126 0.03  
1. ANODE  
2. CATHODE  
0~0.1  
1.0 MAX  
_
+
0.15 0.05  
J
_
K
L
M
0.4+0.05  
2
+4/-2  
4~6  
USC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25)  
CHARACTERISTIC  
Reverse Voltage  
SYMBOL  
TEST CONDITION  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
V
VR  
IR  
IR=1A  
VR=15V  
15  
-
-
-
Reverse Current  
-
3
nA  
C2V  
C10V  
K
VR=2V, f=1MHz  
VR=10V, f=1MHz  
C2V/C10V, f=1MHz  
VR=1V, f=470MHz  
3.8  
1.5  
2.0  
-
4.25  
1.75  
2.4  
0.44  
4.7  
2.0  
-
Capacitance  
pF  
Capacitance Ratio  
Series Resistance  
rS  
0.6  
Marking  
Type Name  
U J  
2001. 6. 11  
Revision No : 1  
1/2  

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