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KDV214A

更新时间： 2024-11-21 11:29:27

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KEC		二极管光电二极管
页数	文件大小	规格书
1页	347K
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KDV214A 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-G2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.73	Is Samacsys：	N
最小击穿电压：	32 V	配置：	SINGLE
二极管电容容差：	5.35%	最小二极管电容比：	6.3
标称二极管电容：	14.95 pF	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	VARIABLE CAPACITANCE DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

KDV214A 数据手册

SEMICONDUCTOR

MARKING SPECIFICATION

KDV214A

USC PACKAGE

1. Marking method

Laser Marking

2. Marking

No.

Item

Marking

Description

Device Mark

hFE Grade

KDV214A

①

2006. 1st Week

[0:1st Character, 1:2nd Character]

* Lot No.

②

Note) * Lot No. marking method

(A)

(B)

(C)

(D)

(E)

(F)

(G)

(H)

(I)

(J)

1 st Character

Character

arrangement

(1)

(2)

(3)

(4)

(5)

(6)

(7)

(8)

(9)

(0)

2nd Character

Year

Marking (Week)

Periode (Year)

Remark

1 st Year (2006)

2 nd Year (2007)

3 rd Year (2008)

4 th Year (2009)

2006-2010-2014...

2007-2011-2015...

2008-2012-2016...

2009-2013-2017...

…

Rotation for 4 years

2008. 9. 11

Revision No : 1

1/1

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