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KDV214E_03

更新时间： 2024-11-18 11:29:27

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KEC		二极管局域网
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2页	75K
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SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

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KDV214E_03 数据手册

KDV214E

SEMICONDUCTOR

VARIABLE CAPACITANCE DIODE

SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

TECHNICAL DATA

TV TUNING.

FEATURES

High Capacitance Ratio : C2V/C25V=6.3(Typ.)

Low Series Resistance : r_S=0.57 (Max.)

Excellent C-V Characteristics, and Small Tracking Error.

Useful for Small Size Tuner.

MAXIMUM RATING (Ta=25

CHARACTERISTIC

)

DIM MILLIMETERS

1.60+0.10

SYMBOL

RATING

UNIT

1.20+0.10

0.80+0.10

V_R

T_j

Reverse Voltage

0.30+0.05

0.60 0.10

Junction Temperature

125

0.13 0.05

1. ANODE

2. CATHODE

T_stg

Storage Temperature Range

-55 125

ESC

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25

)

CHARACTERISTIC

Reverse Current

SYMBOL

I_R

TEST CONDITION

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

V_R=28V

14.15

2.06

6.3

15.75

2.35

C_2V

V_R=2V, f=1MHz

V_R=25V, f=1MHz

Capacitance

C_25V

Capacitance

C_2V/C_25V

r_S

Capacitance Ratio

Series Resistance

V_R=5V, f=470MHz

0.57

Note : Available in matched group for capacitance to 2.0%.

C(Max.)-C(Min.)

0.02

C(Min.)

(V_R=2~25V)

Marking

Type Name

U O

2003. 12. 2

Revision No : 3

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