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KDV214

更新时间： 2024-11-05 22:32:23

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KEC		二极管变容二极管电视局域网
页数	文件大小	规格书
2页	360K
描述
VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(TV TUNING)

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KDV214 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-G2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.73	最小击穿电压：	32 V
配置：	SINGLE	二极管电容容差：	5.35%
最小二极管电容比：	6.3	标称二极管电容：	14.95 pF
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	125 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

KDV214 数据手册

KDV214

SEMICONDUCTOR

VARIABLE CAPACITANCE DIODE

SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

TECHNICAL DATA

TV TUNING.

FEATURES

·High Capacitance Ratio : C2V/C25V=6.5(Typ.)

·Low Series Resistance : r_S=0.4Ω(Typ.)

·Excellent C-V Characteristics, and Small Tracking Error.

·Useful for Small Size Tuner.

DIM

MILLIMETERS

2.50+0.1

MAXIMUM RATING (Ta=25℃)

1.25 0.05

0.90 0.05

CHARACTERISTIC

Reverse Voltage

SYMBOL

V_R

RATING

UNIT

0.30+0.06/-0.04

1.70 0.05

MIN 0.17

0.126 0.03

V_RM

T_j

Peak Reverse Voltage

Junction Temperature

Storage Temperature Range

35 (R_L=10kΩ)

125

1. ANODE

2. CATHODE

0~0.1

1.0 MAX

0.15 0.05

℃

0.4+0.05

T_stg

-55∼125

℃

+4/-2

4~6

USC

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃)

CHARACTERISTIC

Reverse Voltage

SYMBOL

V_R

TEST CONDITION

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

I_R=1μA

I_R

V_R=28V

Reverse Current

Capacitance

C_2V

V_R=2V, f=1MHz

V_R=25V, f=1MHz

14.16

2.11

5.90

16.25

2.43

7.15

0.55

C_25V

C_2V/C_25V

r_S

Capacitance

Capacitance Ratio

Series Resistance

6.50

0.4

V_R=5V, f=470MHz

Ω

Note : Available in matched group for capacitance to 2.5%.

C(Max.)-C(Min.)

≦0.025

C(Min.)

Marking

(V_R=2~25V)

Type Name

U O

2002. 6. 14

Revision No : 2

1/2

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