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KDV142E

更新时间： 2024-09-16 11:29:27

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KEC		二极管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	34K
描述
SILICON EPITAXIAL PIN TYPE DIODE

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KDV142E 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.74	Is Samacsys：	N
应用：	SWITCHING	配置：	SINGLE
最大二极管电容：	0.35 pF	二极管元件材料：	SILICON
最大二极管正向电阻：	1.3 Ω	二极管类型：	PIN DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	技术：	POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

KDV142E 数据手册

SEMICONDUCTOR

KDV142E

SILICON EPITAXIAL PIN TYPE DIODE

TECHNICAL DATA

For antenna switches in mobile applications.

FEATURES

Low Capacitance : C_T=0.35[pF] (Max.)

Low Series resistance : r_S=1.5[ ] (Max.).

Small Package : ESC.

MAXIMUM RATING (Ta=25

)

DIM MILLIMETERS

1.60+ 0.10

CHARACTERISTIC

Reverse Voltage

SYMBOL RATING

UNIT

1.20 0.10

0.80 0.10

V_R

I_F

100

0.30 0.05

0.60 0.10

Forward Current

1. ANODE

0.13+0.05

2. CATHODE

T_j

Junction Temperature

Storage Temperature Range

150

T_stg

-55 150

ESC

Marking

Type Name

E F

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25

)

CHARACTERISTIC

Reverse Current

SYMBOL

TEST CONDITION

MIN.

TYP.

MAX.

0.1

UNIT

I_R

V_F

C_T

r_s

V_R=30V

I_F=10mA

Forward Voltage

Total Capacitance

Series Resistance

1.0

V_R=1V, f=1MHz

I_F=10mA, f=100MHz

0.35

1.3

C=200pF, R=0

ESD-Capability *

100

Both forward and reverse

direction 1 pulse

* Failure cirterion : I_R>100nA at V_R=30V.

2003. 10. 24

Revision No : 0

1/2

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