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KDV1470

更新时间： 2024-11-17 22:29:59

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KEC		二极管变容二极管局域网
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2页	40K
描述
VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

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KDV1470 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
二极管类型：	VARIABLE CAPACITANCE DIODE	Base Number Matches：	1

KDV1470 数据手册

KDV1470

SEMICONDUCTOR

VARIABLE CAPACITANCE DIODE

SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

TECHNICAL DATA

FM RADIO BAND TUNING APPLICATION.

FEATURES

High Capacitance Ratio : C_1V/C_5V=5.0(Min.)

Excellent C-V Characteristics.

Variations of Capacitance Values is Little.

Small Package.

DIM

MILLIMETERS

2.93 0.20

1.30+0.20/-0.15

1.30 MAX

0.45+0.15/-0.05

2.40+0.30/-0.20

1.90

0.95

0.13+0.10/-0.05

0.00 ~ 0.10

0.55

MAXIMUM RATING (Ta=25

CHARACTERISTIC

)

0.20 MIN

1.00+0.20/-0.10

SYMBOL RATING

UNIT

V_R

T_j

Reverse Voltage

150

Junction Temperature

1. ANODE 1

2. ANODE 2

3. CATHODE

T_stg

Storage Temperature Range

-55 150

SOT-23

CLASSIFICATION OF CAPACITANCE RATIO GRADE

CAPACITANCE (C_1V

)

GRADE

UNIT

65.80 69.25

68.27 71.72

70.74 74.20

Marking

Grade

Lot No.

Type Name

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25

)

CHARACTERISTIC

Reverse Voltage

SYMBOL

V_R

TEST CONDITION

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

I_R=10 A

V_R=10V

74.2

I_R

Reverse Current

Capacitance

C_1V

C_2V

C_3V

C_4.5V

C_5V

V_R=1V, f=1MHz

V_R=2V, f=1MHz

V_R=3V, f=1MHz

V_R=4.5V, f=1MHz

V_R=5V, f=1MHz

C_1V/C_5V, f=1MHz

V_R=1.5V, f=100MHz

65.8

12.0

13.5

12.5

14.8

Capacitance Ratio

Series Resistance

5.0

r_S

0.43

0.5

2002. 6. 25

Revision No : 1

1/2

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