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KDV142V

更新时间: 2024-11-20 11:29:27
品牌 Logo 应用领域
KEC 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 437K
描述
SILICON EPITAXIAL PIN TYPE DIODE

KDV142V 技术参数

生命周期:Not Recommended包装说明:R-PDSO-F2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.84应用:SWITCHING
配置:SINGLE最大二极管电容:0.35 pF
二极管元件材料:SILICON最大二极管正向电阻:1.3 Ω
二极管类型:PIN DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-F2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
表面贴装:YES技术:POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE
端子形式:FLAT端子位置:DUAL

KDV142V 数据手册

 浏览型号KDV142V的Datasheet PDF文件第2页 
SEMICONDUCTOR  
KDV142V  
SILICON EPITAXIAL PIN TYPE DIODE  
TECHNICAL DATA  
For antenna switches in mobile applications.  
FEATURES  
CATHODE MARK  
Low Capacitance : CT=0.35[pF] (Max.)  
Low Series resistance : rS=1.3[ ] (Max.)  
Small Package : ESC  
1
2
B
DIM MILLIMETERS  
A
_
A
B
C
D
E
F
1.4 + 0.05  
_
1.0 0.05  
+
_
0.6 0.05  
+
_
+
0.28 0.03  
_
0.5 + 0.05  
MAXIMUM RATING (Ta=25  
)
_
0.12 + 0.03  
CHARACTERISTIC  
Reverse Voltage  
SYMBOL RATING  
UNIT  
V
VR  
IF  
30  
100  
Forward Current  
mA  
1. ANODE  
Tj  
Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
150  
2. CATHODE  
Tstg  
-55 150  
VSC  
Marking  
2
CATHODE MARK  
1
PA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25  
)
CHARACTERISTIC  
Reverse Current  
SYMBOL  
TEST CONDITION  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
IR  
VF  
CT  
rs  
VR=30V  
-
-
-
-
-
-
-
-
0.1  
1.0  
A
IF=10mA  
Forward Voltage  
Total Capacitance  
Series Resistance  
V
VR=1V, f=1MHz  
IF=10mA, f=100MHz  
0.35  
1.3  
pF  
C=200pF, R=0  
,
ESD-Capability *  
-
100  
-
-
Both forward and reverse  
direction 1 pulse  
* Failure cirterion : IR>100nA at VR=30V.  
2006. 9. 8  
Revision No : 0  
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