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KDV143EL

更新时间： 2024-11-06 11:29:27

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KEC		二极管
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2页	437K
描述
SILICON EPITAXIAL PIN TYPE DIODE

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KDV143EL 技术参数

生命周期：	Not Recommended	包装说明：	R-XBCC-N2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.76	应用：	SWITCHING
配置：	SINGLE	最大二极管电容：	0.43 pF
二极管元件材料：	SILICON	最大二极管正向电阻：	1.8 Ω
二极管类型：	PIN DIODE	JESD-30 代码：	R-XBCC-N2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
表面贴装：	YES	技术：	POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	BOTTOM
Base Number Matches：	1

KDV143EL 数据手册

SEMICONDUCTOR

KDV143EL

SILICON EPITAXIAL PIN TYPE DIODE

TECHNICAL DATA

For antenna switches in mobile applications.

FEATURES

Low Operation Current.

Small Package .

DIM MILLIMETERS

0.6 + 0.05

0.3 + 0.05

0.28 + 0.05

MAXIMUM RATING (Ta=25

)

0.25 + 0.05

0.18 + 0.05

CHARACTERISTIC

Reverse Voltage

SYMBOL RATING

UNIT

Typ 0.36

0.025 + 0.02

V_R

I_F

100

0.2 + 0.05

Max 0.3

Typ 0.1

Forward Current

1. ANODE

2. CATHCDE

T_j

Junction Temperature

Storage Temperature Range

150

T_stg

-55 150

ELP-2

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25

)

CHARACTERISTIC

Reverse Current

SYMBOL

TEST CONDITION

MIN.

TYP.

MAX.

0.1

UNIT

I_R

V_F

C_T

r_s

V_R=30V

I_F= 2mA

Forward Voltage

Total Capacitance

Series Resistance

0.9

V_R=1V, f =1MHz

I_F=2mA, f =100MHz

0.43

1.8

C =200pF, R =0

ESD-Capability *

100

Both forward and reverse

direction 1 pulse

* Failure cirterion : I_R>100nA at V_R=30V.

2007. 8. 10

Revision No : 2

1/2

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