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KDV142EL

更新时间: 2024-11-18 03:30:55
品牌 Logo 应用领域
KEC 二极管开关
页数 文件大小 规格书
2页 55K
描述
SILICON EPITAXIAL PIN TYPE DIODE

KDV142EL 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-XBCC-N2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.74Is Samacsys:N
应用:SWITCHING配置:SINGLE
最大二极管电容:0.35 pF二极管元件材料:SILICON
最大二极管正向电阻:1.3 Ω二极管类型:PIN DIODE
JESD-30 代码:R-XBCC-N2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES技术:POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE
端子形式:NO LEAD端子位置:BOTTOM
Base Number Matches:1

KDV142EL 数据手册

 浏览型号KDV142EL的Datasheet PDF文件第2页 
SEMICONDUCTOR  
KDV142EL  
SILICON EPITAXIAL PIN TYPE DIODE  
TECHNICAL DATA  
For antenna switches in mobile applications.  
FEATURES  
1
Low Capacitance : CT=0.35[pF] (Max.)  
Low Series resistance : rS=1.3[ ] (Max.)  
Small Package .  
E
F
A
E
G
2
B
D
G
DIM MILLIMETERS  
_
A
B
C
D
E
0.6 + 0.03  
_
0.3 + 0.03  
_
0.28 + 0.03  
MAXIMUM RATING (Ta=25  
)
C
_
0.25 + 0.02  
_
0.18 + 0.02  
CHARACTERISTIC  
Reverse Voltage  
SYMBOL RATING  
UNIT  
V
F
Typ 0.37  
_
0.025 + 0.015  
G
VR  
IF  
30  
100  
Forward Current  
mA  
Tj  
Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
150  
Tstg  
-55 150  
ELP-2  
www.DataSheet4U.com  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25  
)
CHARACTERISTIC  
Reverse Current  
SYMBOL  
TEST CONDITION  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
IR  
VF  
CT  
rs  
VR=30V  
-
-
-
-
-
-
-
-
0.1  
1.0  
A
V
IF=10mA  
Forward Voltage  
Total Capacitance  
Series Resistance  
VR=1V, f=1MHz  
IF=10mA, f=100MHz  
0.35  
1.3  
pF  
C=200pF, R=0  
,
ESD-Capability *  
-
100  
-
-
Both forward and reverse  
direction 1 pulse  
* Failure cirterion : IR>100nA at VR=30V.  
2005 .10. 10  
Revision No : 0  

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