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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | FBGA, BGA48,6X8,30 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.72 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 35 ns |
| 命令用户界面： | YES | 数据轮询： | NO |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B48 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 134217728 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 8 | 部门数/规模： | 1K |
| 端子数量： | 48 | 字数： | 16777216 words |
| 字数代码： | 16000000 | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 16MX8 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | FBGA |
| 封装等效代码： | BGA48,6X8,30 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, FINE PITCH | 页面大小： | 512 words |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 就绪/忙碌： | YES | 部门规模： | 16K |
| 最大待机电流： | 0.00005 A | 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.02 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.75 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 切换位： | NO | 类型： | NAND TYPE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K9F2808U0B-D | SAMSUNG |
获取价格 |
16M x 8 Bit NAND Flash Memory |
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| K9F2808U0B-DCB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
16M x 8 Bit NAND Flash Memory |
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| K9F2808U0B-DCB00 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 16MX8, 35ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TBGA-63 |
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| K9F2808U0B-DIB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
16M x 8 Bit NAND Flash Memory |
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| K9F2808U0B-V | SAMSUNG |
获取价格 |
16M x 8 Bit NAND Flash Memory |
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| K9F2808U0B-VCB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
16M x 8 Bit NAND Flash Memory |
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| K9F2808U0B-VIB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
16M x 8 Bit NAND Flash Memory |
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| K9F2808U0B-VIB00 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 16MX8, 35ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.70 MM HEIGHT, PLASTIC, WSOP1-48 |
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| K9F2808U0B-Y | SAMSUNG |
获取价格 |
16M x 8 Bit NAND Flash Memory |
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| K9F2808U0B-YCB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
16M x 8 Bit NAND Flash Memory |
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