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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | VFBGA, | 针数： | 63 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.1.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.77 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 30 ns |
| 其他特性： | CONTAINS ADDITIONAL 4M BIT NAND FLASH | JESD-30 代码： | R-PBGA-B63 |
| 长度： | 11 mm | 内存密度： | 134217728 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 63 |
| 字数： | 16777216 words | 字数代码： | 16000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 16MX8 | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | VFBGA |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 编程电压： | 2.7 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 9 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K9F2808U0C-HCB0T | SAMSUNG |
获取价格 |
暂无描述 |
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| K9F2808U0C-HIB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
16M x 8 Bit NAND Flash Memory |
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| K9F2808U0C-HIB00 | SAMSUNG |
获取价格 |
暂无描述 |
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| K9F2808U0C-HIB0T | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash Memory |
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| K9F2808U0C-P | SAMSUNG |
获取价格 |
16M x 8 Bit NAND Flash Memory |
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| K9F2808U0C-PCB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
16M x 8 Bit NAND Flash Memory |
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| K9F2808U0C-PCB00 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 16MX8, 30ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP1-48 |
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| K9F2808U0C-PCB0000 | SAMSUNG |
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Flash, 16MX8, 30ns, PDSO48 |
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| K9F2808U0C-PCB0T | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 16MX8, 30ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP1-48 |
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| K9F2808U0C-PIB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
16M x 8 Bit NAND Flash Memory |
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