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K9F2808U0C-PIB0T PDF预览

K9F2808U0C-PIB0T

更新时间： 2024-11-21 13:09:07
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 闪存
页数 文件大小 规格书
31页 775K
描述
Flash, 16MX8, 30ns, PDSO48

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K9F2808U0C-PIB0T 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.84最长访问时间：30 ns
命令用户界面：YES数据轮询：NO
JESD-30 代码：R-PDSO-G48JESD-609代码：e3
内存密度：134217728 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8湿度敏感等级：1
部门数/规模：1K端子数量：48
字数：16777216 words字数代码：16000000
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：16MX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSSOP48,.8,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
页面大小：512 words并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：225电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
部门规模：16K最大待机电流：0.00005 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.02 mA
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED切换位：NO
类型：SLC NAND TYPEBase Number Matches：1

K9F2808U0C-PIB0T 数据手册

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FLASH MEMORY  
K9F2808U0C  
Document Title  
16M x 8 Bit NAND Flash Memory  
Revision History  
Revision No. History  
Draft Date  
Remark  
0.0  
Initial issue.  
Apr. 15th 2002  
Advance  
1.0  
TBGA PKG Dimension Change  
Sep. 5th 2002  
Advance  
48-Ball, 6.0mm x 8.5mm --> 63-Ball, 9.0mm x 11.0mm  
2.0  
1.A3 Pin assignment of TBGA Package is changed.(Page 4)  
(before) NC --> (after) Vss  
Dec.10th 2002  
Preliminary  
2. Add the Rp vs tr ,tf & Rp vs ibusy graph for 1.8V device (Page 32)  
3. Add the data protection Vcc guidence for 1.8V device - below about  
1.1V. (Page 33)  
2.1  
Mar. 6th 2003  
Mar. 13rd 2003  
The min. Vcc value 1.8V devices is changed.  
K9F28XXQ0C : Vcc 1.65V~1.95V --> 1.70V~1.95V  
Pb-free Package is added.  
K9F2808U0C-FCB0,FIB0  
K9F2808Q0C-HCB0,HIB0  
K9F2816U0C-HCB0,HIB0  
K9F2816U0C-PCB0,PIB0  
K9F2816Q0C-HCB0,HIB0  
K9F2808U0C-HCB0,HIB0  
K9F2808U0C-PCB0,PIB0  
2.2  
Some AC parameters are changed(K9F28XXQ0C).  
tWC tWH tWP tRC tREH tRP tREA tCEA  
2.3  
2.4  
Before 45 15 25 50 15 25 30  
After 60 20 40 60 20 40 40  
45  
55  
Mar. 26th 2003  
May. 24th 2003  
1. New definition of the number of invalid blocks is added.  
(Minimum 502 valid blocks are guaranteed for each contiguous 64Mb  
memory space)  
2. Note is added.  
(VIL can undershoot to -0.4V and VIH can overshoot to VCC +0.4V for  
durations of 20 ns or less.)  
2.5  
2.6  
1. K9F2808U(Q)0C-DC(I)B0,K9F2816U(Q)0C-DC(I)B0 is deleted.  
2. tWC is changed.  
45ns(Before) ---> 50ns(After)  
3. Minimum valid block number is changed.  
1004(Before) --> 1009(After)  
1. Minimum valid block number is changed.  
1009(Before) --> 1004(After)  
Oct. 10th 2003  
Note : For more detailed features and specifications including FAQ, please refer to Samsung’s Flash web site.  
http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/Flash/TechnicalInfo/datasheets.htm  
The attached datasheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right  
to change the specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions about device. If you have  
any questions, please contact the SAMSUNG branch office near you.  
1
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与K9F2808U0C-PIB0T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K9F2808U0C-V SAMSUNG

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 		16M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F2808U0C-VCB0 SAMSUNG

获取价格

 		16M x 8 Bit , 8M x 16 Bit NAND Flash Memory
K9F2808U0C-VCB00 SAMSUNG

获取价格

 		Flash, 16MX8, 30ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.70 MM HEIGHT, PLASTIC, WSOP1-48
K9F2808U0C-VCB0T SAMSUNG

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 		暂无描述
K9F2808U0C-VIB0 SAMSUNG

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 		16M x 8 Bit , 8M x 16 Bit NAND Flash Memory
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