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K9F2808U0C-DCB00

更新时间： 2024-11-25 14:43:03

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		内存集成电路
页数	文件大小	规格书
33页	583K
描述
Flash, 16MX8, 30ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 0.80 MM PITCH, TBGA-63

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K9F2808U0C-DCB00 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	9 X 11 MM, 0.80 MM PITCH, TBGA-63	针数：	63
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.1.A
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.77
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	30 ns
其他特性：	CONTAINS ADDITIONAL 4M BIT NAND FLASH	JESD-30 代码：	R-PBGA-B63
长度：	11 mm	内存密度：	134217728 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	63
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	16MX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	编程电压：	2.7 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	类型：	NAND TYPE
宽度：	9 mm	Base Number Matches：	1

K9F2808U0C-DCB00 数据手册

K9F2808Q0C-DCB0,DIB0 K9F2816Q0C-DCB0,DIB0 K9F2808U0C-VCB0,VIB0

K9F2808U0C-YCB0,YIB0 K9F2816U0C-YCB0,YIB0

K9F2808U0C-DCB0,DIB0 K9F2816U0C-DCB0,DIB0

FLASH MEMORY

Document Title

16M x 8 Bit , 8M x 16 Bit NAND Flash Memory

Revision History

Revision No. History

Draft Date

Remark

0.0

Initial issue.

Apr. 15th 2002

Advance

1.0

TBGA PKG Dimension Change

Sep. 5th 2002

Advance

48-Ball, 6.0mm x 8.5mm --> 63-Ball, 9.0mm x 11.0mm

2.0

1.A3 Pin assignment of TBGA Package is changed.(Page 4)

(before) NC --> (after) Vss

Dec.10th 2002

Preliminary

2. Add the Rp vs tr ,tf & Rp vs ibusy graph for 1.8V device (Page 32)

3. Add the data protection Vcc guidence for 1.8V device - below about

1.1V. (Page 33)

Mar. 6th 2003

2.1

The min. Vcc value 1.8V devices is changed.

K9F28XXQ0C : Vcc 1.65V~1.95V --> 1.70V~1.95V

Pb-free Package is added.

K9F2808U0C-FCB0,FIB0

K9F2808Q0C-HCB0,HIB0

K9F2816U0C-HCB0,HIB0

K9F2816U0C-PCB0,PIB0

K9F2816Q0C-HCB0,HIB0

K9F2808U0C-HCB0,HIB0

K9F2808U0C-PCB0,PIB0

Mar. 13rd 2003

2.2

Some AC parameter is changed(K9F28XXQ0C).

tWC tWH tWP tRC tREH tRP tREA tCEA

Mar. 26th 2003

May. 24th 2003

2.3

2.4

Before 45 15 25 50 15 25 30

After 60 20 40 60 20 40 40

New definition of the number of invalid blocks is added.

(Minimum 502 valid blocks are guaranteed for each contiguous 64Mb

memory space)

Note : For more detailed features and specifications including FAQ, please refer to Samsung’s Flash web site.

http://www.intl.samsungsemi.com/Memory/Flash/datasheets.html

The attached datasheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right

to change the specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions about device. If you have

any questions, please contact the SAMSUNG branch office near you.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K9F2808U0C-DIB0	SAMSUNG	获取价格	16M x 8 Bit , 8M x 16 Bit NAND Flash Memory
K9F2808U0C-DIB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 16MX8, 30ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 0.80 MM PITCH, TBGA-63
K9F2808U0C-F	SAMSUNG	获取价格	16M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F2808U0C-FCB0	SAMSUNG	获取价格	16M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F2808U0C-FCB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 16MX8, 30ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.70 MM HEIGHT, LEAD FREE, PLASTIC, WSOP1-48
K9F2808U0C-FCB0T	SAMSUNG	获取价格	Flash, 16MX8, 30ns, PDSO48
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K9F2808U0C-FIB0T	SAMSUNG	获取价格	Flash, 16MX8, 30ns, PDSO48
K9F2808U0C-HCB0	SAMSUNG	获取价格	16M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F2808U0C-HCB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 16MX8, 30ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 0.80 MM PITCH, TBGA-63

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