Datasheet > 存储 > 闪存> K9F2808U0C-FCB0

K9F2808U0C-FCB0

更新时间： 2024-11-20 22:18:31

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		闪存存储内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
31页	775K
描述
16M x 8 Bit NAND Flash Memory

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K9F2808U0C-FCB0 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	TSSOP, TSSOP48,.71,20
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	30 ns
命令用户界面：	YES	数据轮询：	NO
JESD-30 代码：	R-PDSO-G48	内存密度：	134217728 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	部门数/规模：	1K
端子数量：	48	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	16MX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP48,.71,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	页面大小：	512 words
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	部门规模：	16K
最大待机电流：	0.00005 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.02 mA	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	NO
类型：	NAND TYPE	Base Number Matches：	1

K9F2808U0C-FCB0 数据手册

FLASH MEMORY

K9F2808U0C

Document Title

16M x 8 Bit NAND Flash Memory

Revision History

Revision No. History

Draft Date

Remark

0.0

Initial issue.

Apr. 15th 2002

Advance

1.0

TBGA PKG Dimension Change

Sep. 5th 2002

Advance

48-Ball, 6.0mm x 8.5mm --> 63-Ball, 9.0mm x 11.0mm

2.0

1.A3 Pin assignment of TBGA Package is changed.(Page 4)

(before) NC --> (after) Vss

Dec.10th 2002

Preliminary

2. Add the Rp vs tr ,tf & Rp vs ibusy graph for 1.8V device (Page 32)

3. Add the data protection Vcc guidence for 1.8V device - below about

1.1V. (Page 33)

2.1

Mar. 6th 2003

Mar. 13rd 2003

The min. Vcc value 1.8V devices is changed.

K9F28XXQ0C : Vcc 1.65V~1.95V --> 1.70V~1.95V

Pb-free Package is added.

K9F2808U0C-FCB0,FIB0

K9F2808Q0C-HCB0,HIB0

K9F2816U0C-HCB0,HIB0

K9F2816U0C-PCB0,PIB0

K9F2816Q0C-HCB0,HIB0

K9F2808U0C-HCB0,HIB0

K9F2808U0C-PCB0,PIB0

2.2

Some AC parameters are changed(K9F28XXQ0C).

tWC tWH tWP tRC tREH tRP tREA tCEA

2.3

2.4

Before 45 15 25 50 15 25 30

After 60 20 40 60 20 40 40

Mar. 26th 2003

May. 24th 2003

1. New definition of the number of invalid blocks is added.

(Minimum 502 valid blocks are guaranteed for each contiguous 64Mb

memory space)

2. Note is added.

(VIL can undershoot to -0.4V and VIH can overshoot to VCC +0.4V for

durations of 20 ns or less.)

2.5

2.6

1. K9F2808U(Q)0C-DC(I)B0,K9F2816U(Q)0C-DC(I)B0 is deleted.

2. tWC is changed.

45ns(Before) ---> 50ns(After)

3. Minimum valid block number is changed.

1004(Before) --> 1009(After)

1. Minimum valid block number is changed.

1009(Before) --> 1004(After)

Oct. 10th 2003

Note : For more detailed features and specifications including FAQ, please refer to Samsung’s Flash web site.

http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/Flash/TechnicalInfo/datasheets.htm

The attached datasheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right

to change the specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions about device. If you have

any questions, please contact the SAMSUNG branch office near you.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K9F2808U0C-FCB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 16MX8, 30ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.70 MM HEIGHT, LEAD FREE, PLASTIC, WSOP1-48
K9F2808U0C-FCB0T	SAMSUNG	获取价格	Flash, 16MX8, 30ns, PDSO48
K9F2808U0C-FIB0	SAMSUNG	获取价格	16M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F2808U0C-FIB0T	SAMSUNG	获取价格	Flash, 16MX8, 30ns, PDSO48
K9F2808U0C-HCB0	SAMSUNG	获取价格	16M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F2808U0C-HCB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 16MX8, 30ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 0.80 MM PITCH, TBGA-63
K9F2808U0C-HCB0T	SAMSUNG	获取价格	暂无描述
K9F2808U0C-HIB0	SAMSUNG	获取价格	16M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F2808U0C-HIB00	SAMSUNG	获取价格	暂无描述
K9F2808U0C-HIB0T	SAMSUNG	获取价格	Flash Memory

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