5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | 9 X 11 MM, 0.80 MM PITCH, TBGA-63 | 针数： | 63 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A991.B.1.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.77 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 30 ns |
| 其他特性： | CONTAINS ADDITIONAL 4M BIT NAND FLASH | JESD-30 代码： | R-PBGA-B63 |
| 长度： | 11 mm | 内存密度： | 134217728 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 63 |
| 字数： | 16777216 words | 字数代码： | 16000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 16MX8 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | VFBGA |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 并行/串行： | PARALLEL | 编程电压： | 2.7 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 类型： | NAND TYPE |
| 宽度： | 9 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K9F2808U0C-F | SAMSUNG |
获取价格 |
16M x 8 Bit NAND Flash Memory |
|
| K9F2808U0C-FCB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
16M x 8 Bit NAND Flash Memory |
|
| K9F2808U0C-FCB00 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 16MX8, 30ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.70 MM HEIGHT, LEAD FREE, PLASTIC, WSOP1-48 |
|
| K9F2808U0C-FCB0T | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 16MX8, 30ns, PDSO48 |
|
| K9F2808U0C-FIB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
16M x 8 Bit NAND Flash Memory |
|
| K9F2808U0C-FIB0T | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 16MX8, 30ns, PDSO48 |
|
| K9F2808U0C-HCB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
16M x 8 Bit NAND Flash Memory |
|
| K9F2808U0C-HCB00 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 16MX8, 30ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 0.80 MM PITCH, TBGA-63 |
|
| K9F2808U0C-HCB0T | SAMSUNG |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| K9F2808U0C-HIB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
16M x 8 Bit NAND Flash Memory |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
