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K9F2808U0B-VIB0

更新时间： 2024-11-24 22:15:59

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		闪存存储内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
29页	305K
描述
16M x 8 Bit NAND Flash Memory

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K9F2808U0B-VIB0 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	12 X 17 MM, 0.70 MM HEIGHT, PLASTIC, WSOP1-48
针数：	48	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.84	最长访问时间：	35 ns
其他特性：	CONTAINS ADDITIONAL 512K X 8 BIT NAND FLASH	命令用户界面：	YES
数据轮询：	NO	JESD-30 代码：	R-PDSO-G48
JESD-609代码：	e0	长度：	15.4 mm
内存密度：	134217728 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
部门数/规模：	1K	端子数量：	48
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	16MX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VSSOP
封装等效代码：	TSSOP48,.71,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH	页面大小：	512 words
并行/串行：	PARALLEL	电源：	3.3 V
编程电压：	2.7 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	0.7 mm
部门规模：	16K	最大待机电流：	0.00005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
切换位：	NO	类型：	SLC NAND TYPE
宽度：	12 mm	Base Number Matches：	1

K9F2808U0B-VIB0 数据手册

K9F2808U0B-YCB0,YIB0

K9F2808Q0B-DCB0,DIB0

K9F2808U0B-VCB0,VIB0 K9F2808U0B-DCB0,DIB0

FLASH MEMORY

Document Title

16M x 8 Bit NAND Flash Memory

Revision History

Revision No. History

Draft Date

Remark

0.0

0.1

0.2

Initial issue.

May 28’ th 2001

Advance

K9F2808U0B(3.3V device)’ s qualification is finished

Jun. 30th 2001

Jul. 30th 2001

K9F2808Q0B (1.8V device)

- Changed typical read operation current (Icc1) from 8mA to 5mA

- Changed typical program operation current (Icc2) from 8mA to 5mA

- Changed typical erase operation current (Icc3) from 8mA to 5mA

- Changed typical program time(tPROG) from 200us to 300us

- Changed ALE to RE Delay (ID read, tAR1) from 100ns to 20ns

- Changed CLE hold time(tCLH) from 10ns to 15ns

- Changed CE hold time(tCH) from 10ns to 15ns

K9F2808Q0B

: Preliminary

- Changed ALE hold time(tALH) from 10ns to 15ns

- Changed Data hold time(tDH) from 10ns to 15ns

- Changed CE Access time(tCEA) from 45ns to 60ns

- Changed Read cycle time(tRC) from 50ns to 70ns

- Changed Write Cycle time(tWC) from 50ns to 70ns

- Changed RE Access time(tREA) from 35ns to 40ns

- Changed RE High Hold time(tREH) from 15ns to 20ns

- Changed WE High Hold time(tWH) from 15ns to 20ns

0.3

1. Device Code is changed

- TBGA package information : ’ B’ --> ’ D’

Aug. 23th 2001

ex) K9F2808Q0B-BCB0 ,BIB0 --> K9F2808Q0B-DCB0,DIB0

K9F2808U0B-BCB0 ,BIB0 --> K9F2808Q0B-DCB0,DIB0

2. VIH ,VIL of K9F2808Q0B(1.8 device) is changed

(before revision)

I/O pins

VccQ-0.4

VCC-0.4

VccQ

VCC

Input High Voltage

VIH

VIL

Except I/O pins

Input Low Voltage,

All inputs

0.4

(after revision)

VccQ-0.4

VccQ

+0.3

I/O pins

Input High Voltage

VIH

VIL

VCC

+0.3

Except I/O pins

VCC-0.4

-0.3

Input Low Voltage,

All inputs

0.4

Note : For more detailed features and specifications including FAQ, please refer to Samsung’ s Flash web site.

http://www.intl.samsungsemi.com/Memory/Flash/datasheets.html

The attached datasheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right

to change the specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions about device. If you have

any questions, please contact the SAMSUNG branch office near you.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K9F2808U0B-VIB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 16MX8, 35ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.70 MM HEIGHT, PLASTIC, WSOP1-48
K9F2808U0B-Y	SAMSUNG	获取价格	16M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F2808U0B-YCB0	SAMSUNG	获取价格	16M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F2808U0B-YCB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 16MX8, 35ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48
K9F2808U0B-YIB0	SAMSUNG	获取价格	16M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F2808U0B-YIB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 16MX8, 35ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48
K9F2808U0C	SAMSUNG	获取价格	16M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F2808U0C-BIB0	SAMSUNG	获取价格	Flash, 16MX8, 30ns, PBGA48, 6 X 8.50 MM, 0.80 MM PITCH, TBGA-48
K9F2808U0C-DCB0	SAMSUNG	获取价格	16M x 8 Bit , 8M x 16 Bit NAND Flash Memory
K9F2808U0C-DCB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 16MX8, 30ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 0.80 MM PITCH, TBGA-63

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