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K7P321874C-GC250

更新时间： 2024-11-14 19:12:47

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
15页	450K
描述
Late-Write SRAM, 2MX18, 2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, BGA-119

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K7P321874C-GC250 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	BGA, BGA119,7X17,50
针数：	119	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.84	最长访问时间：	2 ns
其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE, IT CAN ALSO OPERATE AT 2.5V SUPPLY	最大时钟频率 (fCLK)：	250 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PBGA-B119
JESD-609代码：	e1	长度：	22 mm
内存密度：	37748736 bit	内存集成电路类型：	LATE-WRITE SRAM
内存宽度：	18	湿度敏感等级：	2
功能数量：	1	端子数量：	119
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	2MX18
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	BGA	封装等效代码：	BGA119,7X17,50
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	1.8,2.5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.21 mm	最大待机电流：	0.07 A
最小待机电流：	1.7 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.5 mA	最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	BALL	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

K7P321874C-GC250 数据手册

K7P323674C

K7P321874C

1Mx36 & 2Mx18 SRAM

36Mb Late Write SRAM Specification

119BGA with Pb & Pb-Free

(RoHS compliant)

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* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.2 February 2007

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K7P321874C-GC300	SAMSUNG	获取价格	Late-Write SRAM, 2MX18, 1.6ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, B
K7P321874C-HC250	SAMSUNG	获取价格	Late-Write SRAM, 2MX18, 2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119
K7P321874C-HC300	SAMSUNG	获取价格	Late-Write SRAM, 2MX18, 1.6ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119
K7P321888M-GC25	SAMSUNG	获取价格	SRAM
K7P321888M-GC250	SAMSUNG	获取价格	Late-Write SRAM, 2MX18, 2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, BGA
K7P321888M-GC30	SAMSUNG	获取价格	SRAM
K7P321888M-GC300	SAMSUNG	获取价格	Late-Write SRAM, 2MX18, 1.7ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, B
K7P321888M-HC25	SAMSUNG	获取价格	SRAM
K7P321888M-HC250	SAMSUNG	获取价格	Late-Write SRAM, 2MX18, 2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119
K7P321888M-HC30	SAMSUNG	获取价格	SRAM

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