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K7P163666M-HC30

更新时间： 2024-11-14 21:11:59

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
13页	216K
描述
Standard SRAM, 512KX36, 1.6ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FLIP CHIP, BGA-119

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K7P163666M-HC30 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	BGA, BGA119,7X17,50
针数：	119	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.92	最长访问时间：	1.6 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	300 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PBGA-B119	JESD-609代码：	e0
长度：	22 mm	内存密度：	18874368 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	36
功能数量：	1	端子数量：	119
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	512KX36
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	BGA	封装等效代码：	BGA119,7X17,50
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	1.5,2.5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.55 mm	最大待机电流：	0.15 A
最小待机电流：	2.37 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.62 mA	最大供电电压 (Vsup)：	2.63 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.37 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	BALL	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

K7P163666M-HC30 数据手册

K7P163666M

K7P161866M

512Kx36 & 1Mx18 SRAM

Document Title

512Kx36 & 1Mx18 Synchronous Pipelined SRAM

Revision History

Draft Date

Remark

Rev. No.

History

Apr. 2000

Advance

Rev. 0.0

- Initial Document

May. 2000

Advance

Rev. 0.1

- Leakage current test condition changed from VDD to VDDQ

Package height changed.(From 2.4 to 2.5)

Aug. 2000

Mar. 2001

Advance

Rev. 0.2

Rev. 0.3

- ZQ tolerance changed from 10% to 15%

Preliminary

- Recommended DC Operating Conditions for VREF and VCM-CLK changed

from Min 0.6V to 0.68V, from Max 0.9V to 1.0V

- Setup time for -HC30 part changed from 0.4ns to 0.5ns

- Hold time for -HC30 part changed from 0.6ns to 0.5ns

- Setup time for -HC25 part changed from 0.4ns to 0.5ns

- Hold time for -HC25 part changed from 0.7ns to 0.5ns

May. 2001

Sep. 2001

Dec. 2001

Preliminary

Final

Rev. 0.4

Rev. 1.0

Rev. 2.0

- Package thermal characteristics added.

- Final specification release.

Final

- Recommended DC Operationg Condition changed for Max VDDQ from 2.0V to

1.9V and for Max VREF and VCM-CLK from 1.0V to 0.95V

ISBZZ changed from 70mA to 150mA

The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the

right to change the specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters

of this device. If you have any questions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or cortact Headquarters.

Dec. 2001

- 1 -

Rev 2.0

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与K7P163666M-HC30相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K7P163666M-HC300	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 512KX36, 1.6ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
K7P163666M-HC33	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 512KX36, 1.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FLIP CHIP, BGA-11
K7P163666M-HC330	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 512KX36, 1.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
K7P321866M	SAMSUNG	获取价格	1Mx36 & 2Mx18 SRAM
K7P321866M-GC250	SAMSUNG	获取价格	Late-Write SRAM, 2MX18, 2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, BGA
K7P321866M-GC25T	SAMSUNG	获取价格	SRAM
K7P321866M-GC300	SAMSUNG	获取价格	Late-Write SRAM, 2MX18, 1.6ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, B
K7P321866M-GC30T	SAMSUNG	获取价格	SRAM
K7P321866M-HC250	SAMSUNG	获取价格	Late-Write SRAM, 2MX18, 2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119
K7P321866M-HC25T	SAMSUNG	获取价格	SRAM

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