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K7P163666M-HC330

更新时间： 2024-11-14 20:55:23

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
13页	216K
描述
Standard SRAM, 512KX36, 1.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119

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K7P163666M-HC330 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	BGA,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最长访问时间：	1.5 ns	其他特性：	SEATED HGT-CALCULATED
JESD-30 代码：	R-PBGA-B119	长度：	22 mm
内存密度：	18874368 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	36	功能数量：	1
端子数量：	119	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	512KX36	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	BGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY	并行/串行：	PARALLEL
座面最大高度：	2.55 mm	最大供电电压 (Vsup)：	2.63 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.37 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

K7P163666M-HC330 数据手册

K7P163666M

K7P161866M

512Kx36 & 1Mx18 SRAM

Document Title

512Kx36 & 1Mx18 Synchronous Pipelined SRAM

Revision History

Draft Date

Remark

Rev. No.

History

Apr. 2000

Advance

Rev. 0.0

- Initial Document

May. 2000

Advance

Rev. 0.1

- Leakage current test condition changed from VDD to VDDQ

Package height changed.(From 2.4 to 2.5)

Aug. 2000

Mar. 2001

Advance

Rev. 0.2

Rev. 0.3

- ZQ tolerance changed from 10% to 15%

Preliminary

- Recommended DC Operating Conditions for VREF and VCM-CLK changed

from Min 0.6V to 0.68V, from Max 0.9V to 1.0V

- Setup time for -HC30 part changed from 0.4ns to 0.5ns

- Hold time for -HC30 part changed from 0.6ns to 0.5ns

- Setup time for -HC25 part changed from 0.4ns to 0.5ns

- Hold time for -HC25 part changed from 0.7ns to 0.5ns

May. 2001

Sep. 2001

Dec. 2001

Preliminary

Final

Rev. 0.4

Rev. 1.0

Rev. 2.0

- Package thermal characteristics added.

- Final specification release.

Final

- Recommended DC Operationg Condition changed for Max VDDQ from 2.0V to

1.9V and for Max VREF and VCM-CLK from 1.0V to 0.95V

ISBZZ changed from 70mA to 150mA

The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the

right to change the specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters

of this device. If you have any questions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or cortact Headquarters.

Dec. 2001

- 1 -

Rev 2.0

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K7P321866M-GC25T	SAMSUNG	获取价格	SRAM
K7P321866M-GC300	SAMSUNG	获取价格	Late-Write SRAM, 2MX18, 1.6ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, B
K7P321866M-GC30T	SAMSUNG	获取价格	SRAM
K7P321866M-HC250	SAMSUNG	获取价格	Late-Write SRAM, 2MX18, 2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119
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