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K6R1016V1D-UI10

更新时间： 2024-01-22 10:05:22

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三星 - SAMSUNG		/
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9页	190K
描述
256Kx4 Bit (with OE) High-Speed CMOS Static RAM(5.0V Operating).

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K6R1016V1D-UI10 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2,	针数：	44
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.B
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.59
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	10 ns
JESD-30 代码：	R-PDSO-G44	长度：	18.41 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	44	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	64KX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

K6R1016V1D-UI10 数据手册

PRELIMINARY

K6R1004C1D

CMOS SRAM

Document Title

256Kx4 Bit (with OE) High-Speed CMOS Static RAM(5.0V Operating).

Revision History

Rev.No.

History

Draft Data

Remark

Rev. 0.0

Rev. 0.1

Rev. 0.2

Initial release with Preliminary.

Current modify

June. 8. 2001

September. 9. 2001

December. 18. 2001

Preliminary

1. Delete 15ns speed bin.

2. Change Icc for Industrial mode.

Item

85mA

75mA

Current

75mA

65mA

10ns

ICC(Industrial)

12ns

Rev. 1.0

1. Final datasheet release.

2. Delete UB,LB releated AC characteristics and timing diagram.

June. 19. 2002

Final

Rev. 2.0

Rev. 3.0

1. Delete 12ns speed bin.

July. 8. 2002

July. 26, 2004

Final

1. Add the Lead Free Package type.

The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the

specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-

tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.

Rev. 3.0

July 2004

- 1 -

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K6R1016V1D-UI10 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IS61LV6416-10TL	ISSI	功能相似	64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
CY7C1021CV33-10ZSXA	CYPRESS	功能相似	1-Mbit (64K x 16) Static RAM
AS7C31026B-10TCN	ALSC	功能相似	3.3 V 64K X 16 CMOS SRAM

与K6R1016V1D-UI10相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K6R1016V1D-UI100	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-44
K6R1016V1D-UI10T	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-44
K6R3024V1D	SAMSUNG	获取价格	128K x 24 Bit High-Speed CMOS Static RAM(3.3V Operating)
K6R3024V1D-HC09	SAMSUNG	获取价格	128K x 24 Bit High-Speed CMOS Static RAM(3.3V Operating)
K6R3024V1D-HC090	SAMSUNG	获取价格	SRAM Module, 128KX24, 9ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119
K6R3024V1D-HC10	SAMSUNG	获取价格	128K x 24 Bit High-Speed CMOS Static RAM(3.3V Operating)
K6R3024V1D-HC100	SAMSUNG	获取价格	SRAM Module, 128KX24, 10ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119
K6R3024V1D-HC12	SAMSUNG	获取价格	128K x 24 Bit High-Speed CMOS Static RAM(3.3V Operating)
K6R3024V1D-HC120	SAMSUNG	获取价格	SRAM Module, 128KX24, 12ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119
K6R3024V1D-HI09	SAMSUNG	获取价格	128K x 24 Bit High-Speed CMOS Static RAM(3.3V Operating)

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